特許

J-GLOBAL ID：201003032407677965

マスク欠陥検査方法および半導体装置の製造方法

発明者： 田中 稔彦 ,  新井 浩二
出願人/特許権者： 株式会社ルネサステクノロジ ,  株式会社日立ハイテクノロジーズ
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-302466
公開番号（公開出願番号）：特開2010-129755
出願日： 2008年11月27日
公開日（公表日）： 2010年06月10日
要約：

【課題】波長が13.5nm付近の極端紫外(Extreme Ultra Violet:EUV)光を露光光源とする反射型マスクの欠陥修正技術を利用した半導体装置の製造技術を提供する。【解決手段】ウエハ主面上に塗布されたフォトレジスト膜にマスクパターンを転写する際、アンダードーズあるいはデフォーカスまたはその両方の、オフコンディション条件で転写をした後、フォトレジスト膜に転写されたパターンを電位制御型外観検査用走査型電子顕微鏡(Scanning Electron Microscope:SEM)で検査する工程を経て欠陥検査する。これにより、マスク検査では容易に検査できないホールパターンにおける、多層膜位相欠陥を容易かつ実用的なスループットで外観検査が可能となり、欠陥の原因の分類に応じた欠陥救済を行った無欠陥マスクを供給することで歩留まりが向上する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

(a)主面上にフォトレジスト膜が被着された半導体ウエハと、所定のパターンが形成されたマスクとを準備する工程と、 (b)前記マスクに形成された前記パターンを前記フォトレジスト膜に転写する工程と、 (c)前記フォトレジスト膜に転写された前記パターンを電位制御型外観検査用走査型電子顕微鏡(Scanning Electron Microscope:SEM)で検査する工程、 を含む、リソグラフィに用いるマスクのマスク欠陥検査方法において、 前記(b)工程での前記転写を、アンダードーズあるいはデフォーカスまたはその両方の条件で行うことを特徴とするマスク欠陥検査方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/08

FI (2件)：

H01L21/30 531M ,  G03F1/08 S

Fターム (9件)：

2H095BA10 ,  2H095BD04 ,  2H095BD14 ,  2H095BD23 ,  5F046AA18 ,  5F046CB17 ,  5F046GD10 ,  5F046GD11 ,  5F046GD20

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 多層膜マスク欠陥検査方法及び装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-309981   出願人：独立行政法人産業技術総合研究所
• X線マスク検査装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-140981   出願人：株式会社ニコン
• 米国特許出願公開第2004/0057107号明細書
  

審査官引用 (4件)

• ブランクスおよび反射型マスクの検査方法および検査装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-157130   出願人：株式会社日立製作所
• 欠陥解析システム、記録媒体、欠陥解析方法、及び工程管理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-194581   出願人：富士通株式会社
• レチクル欠陥検査方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-281683   出願人：沖電気工業株式会社
• 検査方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-367200   出願人：株式会社東芝