特許

J-GLOBAL ID：201003033212094104

量子干渉トランジスタとその製造及び動作方法

発明者： 申 在光 ,  徐 順愛 ,  金 鍾燮 ,  洪 起夏 ,  鄭 現鍾
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (4件)： 村山 靖彦 ,  志賀 正武 ,  渡邊 隆 ,  実広 信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-235199
公開番号（公開出願番号）：特開2010-093268
出願日： 2009年10月09日
公開日（公表日）： 2010年04月22日
要約：

【課題】量子干渉トランジスタとその製造及び動作方法を提供する。【解決手段】量子干渉トランジスタとその製造及び動作方法について開示されている。該量子干渉トランジスタは、経路差を有する複数のチャンネルと、チャンネルのうち、少なくとも一つに設けられたゲートとを含む。該チャンネルは、グラフェンシートである。該経路差は、チャンネルを経由する電子の波動が、ドレインで相殺干渉または補強干渉を起こす経路差でありうる。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

ソースと、 ドレインと、 前記ソース及びドレイン間に経路差を有するチャンネルと、 前記チャンネルのうち、少なくとも一つにゲートとが備わっており、 前記チャンネルは、グラフェンシートである量子干渉トランジスタ。

IPC (1件)：

H01L 29/786

FI (4件)：

H01L29/78 622 ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618C ,  H01L29/78 617K

Fターム (9件)：

5F110AA16 ,  5F110BB13 ,  5F110CC10 ,  5F110EE22 ,  5F110EE30 ,  5F110FF01 ,  5F110GG01 ,  5F110GG23 ,  5F110HK01

引用特許：

審査官引用 (8件)

• 特開平2-234474
  
• 特開平3-196573
  
• 記憶素子、記憶装置および発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-031818   出願人：シャープ株式会社
• 電子流制御素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-194533   出願人：浜松ホトニクス株式会社
• 特開平2-044735
  
• トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-263943   出願人：富士ゼロックス株式会社
• 電子波干渉素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-342334   出願人：独立行政法人科学技術振興機構
• AB効果素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-017144   出願人：日本電気株式会社