特許
J-GLOBAL ID：201003034751174649
ヘテロ構造の製造方法
発明者：
,
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
光石 俊郎
, 田中 康幸
, 松元 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-189109
公開番号（公開出願番号）：特開2010-283381
出願日： 2010年08月26日
公開日（公表日）： 2010年12月16日
要約：
【課題】微細孔内にヘテロ構造を形成することができるヘテロ構造の製造方法を提供する。【解決手段】基板1上にナノサイズの金属微粒子を形成し、次いで、該金属微粒子上に第一の物質をVLS成長法により選択的に成長させることによりナノワイヤである柱状構造を形成し、引き続き、前記柱状構造の高さよりも下まで前記基板1上に第二の物質4を充填した後、前記第一の物質と前記第二の物質4の反応性の違いを利用した選択エッチングにより前記第一の物質である柱状構造を除去して、微細孔4aを形成し、微細孔4a内に、前記第一の物質を成長させた温度より高い温度で、ヘテロ構造の結晶(7、8、9)を成長させる。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
基板上にナノサイズの金属微粒子を形成し、
次いで、該金属微粒子上に第一の物質をVLS成長法により選択的に成長させることにより柱状構造を形成し、
引き続き、前記柱状構造の高さよりも下まで前記基板上に第二の物質を充填した後、前記第一の物質である柱状構造を除去して、微細孔を形成し、
更に、前記微細孔内に、前記第一の物質を成長させた温度より高い温度で、ヘテロ構造の結晶を成長させることを特徴とするヘテロ構造の製造方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L21/205
, H01L29/06 601N
, H01L29/06 601D
5F045AA04
, 5F045AB12
, 5F045AB17
, 5F045AC01
, 5F045AC07
, 5F045AC08
, 5F045AD10
, 5F045AD11
, 5F045AF03
, 5F045AF04
, 5F045AF10
, 5F045AF13
, 5F045AF14
, 5F045AF20
, 5F045BB16
, 5F045CA09
, 5F045DA56
, 5F045DB02
, 5F045DB04
, 5F045DB05
, 5F045HA01
, 5F045HA04
, 5F045HA14
