特許
J-GLOBAL ID：201003035866157574
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
園田 吉隆
, 小林 義教
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-163904
公開番号（公開出願番号）：特開2010-004050
出願日： 2009年07月10日
公開日（公表日）： 2010年01月07日
要約：
【課題】温度変化にともなう多層基板の変形などにより生じる半導体パッケージ内部の応力を緩和して、温度変化にともなう半導体パッケージの損傷を抑制することができる技術を提供する。【解決手段】コア材104の厚みを薄くした構造を採用したビルドアップ型の多層基板108にシリコンチップ102をフリップチップ実装する際に、その多層基板に線膨張係数の小さなコア材を用いた上で、そのコア材の厚みおよび線膨張係数にあわせて、アンダーフィル材112の線膨張係数およびガラス転移点を適切に設計している。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
コア材の両面にビルドアップ層を積層して多層回路基板を作製する工程と、
前記回路基板に金属バンプを介して半導体素子を接続する工程と、
前記半導体素子および前記回路基板の間に封止樹脂組成物を充填する工程と、を含む半導体装置の製造方法であって、
前記コア材の厚みは500μm以下であり、
前記コア材の室温からガラス転移温度までの面内方向の線膨張係数は15ppm/°C以下であり、
前記コア材の室温からガラス転移温度までの厚み方向の線膨張係数は18ppm/°C以下であり、
前記封止樹脂組成物の室温からガラス転移温度までの線膨張係数は15ppm/°C以上30ppm/°C以下であり、
前記封止樹脂組成物のTMA法によるガラス転移温度Tg(°C)は、前記コア材の厚みをT(mm)とすると、75≦Tg<112.5T+95の式を満たすことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 23/14
, H01L 21/60
, H01L 23/29
, H01L 23/31
H01L23/14 R
, H01L21/60 311Q
, H01L23/30 R
4M109AA01
, 4M109BA03
, 4M109CA04
, 4M109EC04
, 5F044KK07
, 5F044LL11
