特許

J-GLOBAL ID：200903095324591458

太陽電池用シリコン単結晶基板および太陽電池素子、並びにその製造方法

発明者： 喜田 道夫 ,  藩 伍根 ,  金子 恭二郎 ,  中嶋 一雄 ,  宇佐美 徳隆 ,  藤原 航三
出願人/特許権者： SUMCOソーラー株式会社
代理人 (1件)： 森 道雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-256941
公開番号（公開出願番号）：特開2007-142370
出願日： 2006年09月22日
公開日（公表日）： 2007年06月07日
要約：

【課題】単結晶を基板とする太陽電池素子において、変換効率をより高くすることのできる太陽電池用シリコン単結晶基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】(1)ゲルマニウムの含有量が0.1モル%以上、1.0モル%未満とし、望ましくはゲルマニウムの含有量を0.1モル%以上、0.6モル%以下する太陽電池用シリコン単結晶基板である。さらに、抵抗率が1.4〜1.9Ωcmである場合には、ゲルマニウムの含有量が0.03モル%以上、1.0モル%未満とする。この基板は、CZ法で引き上げられたシリコン単結晶から切り出して作製することがでる。(2)CZ法によりシリコン単結晶を育成するに際し、ルツボ内でゲルマニウムを添加させたシリコン融液の表面に種結晶を接触させて馴染ませた後、回転させながら引き上がられてゲルマニウムを含有した単結晶から切り出す太陽電池用シリコン単結晶基板の製造方法である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ゲルマニウムの含有量が0.1モル%以上、1.0モル%未満であることを特徴とする太陽電池用シリコン単結晶基板。

IPC (2件)：

H01L 31/04 ,  C30B 29/06

FI (3件)：

H01L31/04 H ,  C30B29/06 A ,  H01L31/04 X

Fターム (10件)：

4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077AB06 ,  4G077BA04 ,  4G077CF10 ,  4G077EB01 ,  4G077HA01 ,  5F051AA02 ,  5F051AA16 ,  5F051CB03

引用特許：

出願人引用 (2件)

• Ga添加CZ単結晶およびウエーハ並びにその製造方法
  公報種別：再公表公報   出願番号：JP2000002850   出願人：信越半導体株式会社, 信越化学工業株式会社
• 多元系多結晶太陽電池及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-090713   出願人：東北大学長

審査官引用 (2件)

• シリコン結晶、その製造装置及び製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-167769   出願人：東芝セラミックス株式会社, 科学技術振興事業団, コマツ電子金属株式会社, 三菱マテリアルシリコン株式会社
• シリコンウエハーおよびウエハーゲツタリングの処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-234805   出願人：富士通株式会社