特許
J-GLOBAL ID:201003040303293807
化学増幅型フォトレジスト組成物及びパターン形成方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
新樹グローバル・アイピー特許業務法人
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-045471
公開番号(公開出願番号):特開2010-237656
出願日: 2010年03月02日
公開日(公表日): 2010年10月21日
要約:
【課題】優れた解像度及びラインエッジラフネスを有し、かつパターン倒れが発生しないパターンを形成することができる化学増幅型フォトレジスト組成物を提供することを目的とする。【解決手段】酸発生剤(A)と樹脂(B)とを含有する化学増幅型フォトレジスト組成物であって、前記樹脂(B)が、少なくとも(b1)酸の作用によりカルボキシル基を生じてアルカリ現像液に可溶となる構造単位、(b2)-OXa基(Xaは、酸の作用により脱離し得る基を表す。)を少なくとも2つ有するアダマンチル基を含有する構造単位、及び(b3)ラクトン環を有するモノマーから導かれる構造単位を含んでなる化学増幅型フォトレジスト組成物。【選択図】なし
請求項(抜粋):
酸発生剤(A)と樹脂(B)とを含有する化学増幅型フォトレジスト組成物であって、 前記樹脂(B)が、少なくとも
(b1)酸の作用によりカルボキシル基を生じてアルカリ現像液に可溶となる構造単位、
(b2)-OXa基(Xaは、酸の作用により脱離し得る基を表す。)を少なくとも2つ有するアダマンチル基を含有する構造単位、及び
(b3)ラクトン環を有するモノマーから導かれる構造単位を含んでなることを特徴とする化学増幅型フォトレジスト組成物。
IPC (4件):
G03F 7/039
, G03F 7/004
, H01L 21/027
, C08F 220/28
FI (5件):
G03F7/039 601
, G03F7/004 501
, G03F7/004 503A
, H01L21/30 502R
, C08F220/28
Fターム (41件):
2H125AF17P
, 2H125AF19P
, 2H125AF21P
, 2H125AF36P
, 2H125AF37P
, 2H125AF70P
, 2H125AH13
, 2H125AH17
, 2H125AH19
, 2H125AJ14X
, 2H125AJ18X
, 2H125AJ65X
, 2H125AJ68X
, 2H125AJ69X
, 2H125AN38P
, 2H125AN39P
, 2H125AN45P
, 2H125AN54P
, 2H125AN64P
, 2H125AN65P
, 2H125AN86P
, 2H125BA02P
, 2H125BA26P
, 2H125CA12
, 2H125CB09
, 2H125CC03
, 2H125CC15
, 4J100AL08P
, 4J100AL08Q
, 4J100AL08R
, 4J100BA03Q
, 4J100BA11R
, 4J100BA15R
, 4J100BA20Q
, 4J100BC09P
, 4J100BC09Q
, 4J100BC23P
, 4J100BC53R
, 4J100CA05
, 4J100DA01
, 4J100JA38
引用特許:
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