特許
J-GLOBAL ID:201003040589091505

存在検出のための薄膜検出器

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 宮崎 昭彦
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-514217
公開番号(公開出願番号):特表2010-539442
出願日: 2008年06月30日
公開日(公表日): 2010年12月16日
要約:
膜830が前部基板615の上に形成され、圧電層820が能動的な部分821及び当該能動的な部分821に隣接して位置される周辺部分で膜830の上に形成される、トランスデューサ800が供給される。第1及び第2の電極840、845を含むパターニングされた導電層が、圧電層820の上に形成される。更に、後部基板構造が、能動的な部分821に隣接する周辺部分に位置される支持体822、824を持って供給される。支持体822、824の高さ826は、パターニングされた圧電層及びパターニングされた導電層の組合わされた高さ828より大きい。多くのトランスデューサはアレイを形成するために接続され、ここで、アレイのビームをステアリング等してアレイを制御し、例えば存在検出若しくは動き検出及び/又はイメージングのためアレイにより受信される信号を処理するためのコントローラが供給される。
請求項(抜粋):
前部基板の上に膜を形成するステップと、前記膜の上に圧電層を形成するステップと、前記圧電層の能動部分の上に第1及び第2の電極を含むパターンニングされた導電層を形成するステップと、前記能動部分の隣接する側に位置される支持部を持つ後部基板構造を形成するステップとを有する、トランスデューサを形成する方法。
IPC (5件):
G01V 1/00 ,  G01J 1/02 ,  G01V 11/00 ,  G01V 8/12 ,  G01S 7/521
FI (7件):
G01V1/00 A ,  G01J1/02 Y ,  G01J1/02 Q ,  G01J1/02 W ,  G01V11/00 ,  G01V9/04 A ,  G01S7/52 A
Fターム (19件):
2G005AA04 ,  2G065AB02 ,  2G065BA13 ,  2G065BA14 ,  2G065BA33 ,  2G065BA34 ,  2G065BE08 ,  2G065CA13 ,  2G065CA21 ,  2G065DA20 ,  5J083AA02 ,  5J083AB12 ,  5J083AD01 ,  5J083AD08 ,  5J083AE08 ,  5J083CA12 ,  5J083CB04 ,  5J083CB14 ,  5J083CB19
引用特許:
審査官引用 (5件)
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