特許
J-GLOBAL ID:201003041684048907

原子捕捉装置および原子捕捉方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 山川 政樹 ,  黒川 弘朗 ,  山川 茂樹
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-015252
公開番号(公開出願番号):特開2010-177249
出願日: 2009年01月27日
公開日(公表日): 2010年08月12日
要約:
【課題】電流を駆動するための構造を用いることなしに、原子の閉じ込めが行えるようにする。【解決手段】原子捕捉装置は、超伝導材料から構成されて平板上に形成された捕捉部101と、捕捉部101を超伝導転移温度以下に冷却する冷却部102と、捕捉部101に均一な磁場131を印加する磁場印加部103とを備える。冷却部102を動作させて捕捉部101の冷却し、捕捉部101を超伝導転移温度以下に冷却したら、磁場印加部103により捕捉部101に均一な磁場を印加する。この磁場の印加により、超伝導体である捕捉部101には、マイスナー効果により内部に磁場を浸入させないようにマイスナー電流が誘起される。これにより、捕捉部101においては、表面から法線方向および捕捉部101の中央部から周辺方向に向けて磁場の強さが増加する不均一な磁場が形成される。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
超伝導材料から構成されて平板状に形成された捕捉部と、 この捕捉部を超伝導転移温度以下に冷却する冷却手段と、 前記捕捉部に均一な磁場を印加する磁場印加手段と を少なくとも備えることを特徴とする原子捕捉装置。
IPC (2件):
H01L 39/22 ,  B82B 3/00
FI (2件):
H01L39/22 D ,  B82B3/00
Fターム (6件):
4M113AC46 ,  4M113AD01 ,  4M113CA12 ,  4M113CA13 ,  4M113CA16 ,  4M113CA17
引用特許:
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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