特許

J-GLOBAL ID：201003042500471787

炭化珪素半導体装置及びその製造方法

発明者： 渡辺 友勝 ,  三浦 成久 ,  中尾 之泰 ,  吉田 昌平 ,  谷岡 寿一 ,  古橋 壮之 ,  今泉 昌之 ,  酒井 景子 ,  日野 史郎
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (2件)： 吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-310460
公開番号（公開出願番号）：特開2010-135573
出願日： 2008年12月05日
公開日（公表日）： 2010年06月17日
要約：

【課題】結晶欠陥等の影響を受けることなく広い温度範囲においてオン電圧を抑制し、低オン損失やサージ破壊回避が実現された炭化珪素パワー素子またはその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明の炭化珪素半導体装置は、炭化珪素基板1と、基板1の第1主面1a上に積層された、炭化珪素ドリフト層2を備え、基板1は、第2主面1bからドリフト層2に達する除去領域15を備え、除去領域15上の領域がIGBT領域14、それ以外の領域がMOSFET領域13である。本発明の炭化珪素半導体装置の製造方法は、炭化珪素の基板1の第1主面1a上に、炭化珪素のドリフト層2を形成する工程と、基板1に、第2主面1bからドリフト層2に達する除去領域15を形成する工程と、除去領域15上の領域をIGBT領域14、それ以外の領域をMOSFET領域13として形成する工程と、を備えた。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

炭化珪素で構成され、互いに対向する第1、第2主面を有する第1導電型の基板と、 前記基板の前記第1主面上に積層され、炭化珪素で構成された第1導電型のドリフト層と、を備え、 前記基板は、前記第2主面から前記ドリフト層に達する除去領域を備え、 前記除去領域の前記第1主面側の領域がIGBTとして動作するIGBT領域、それ以外の領域がMOSFETとして動作するMOSFET領域であり、前記MOSFET領域に前記IGBT領域が電気的に接続された構造を有する、炭化珪素半導体装置。

IPC (9件)：

H01L 29/739 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/088 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/76 ,  H01L 29/12 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/06

FI (12件)：

H01L29/78 655G ,  H01L27/08 102E ,  H01L29/78 656D ,  H01L29/78 656G ,  H01L29/78 658G ,  H01L29/78 658A ,  H01L29/78 658F ,  H01L29/78 652R ,  H01L29/78 654Z ,  H01L29/78 652L ,  H01L29/78 652T ,  H01L27/06 321A

Fターム (7件)：

5F048AC06 ,  5F048AC08 ,  5F048BA14 ,  5F048BB02 ,  5F048BD06 ,  5F048CB06 ,  5F048CB07

引用特許：

出願人引用 (2件)

• MOS半導体素子およびその制御方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-095991   出願人：富士電機株式会社
• 半導体装置および半導体装置の制御方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-169308   出願人：トヨタ自動車株式会社

審査官引用 (4件)

• 半導体装置および半導体装置の制御方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-169308   出願人：トヨタ自動車株式会社
• 半導体整流装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-063284   出願人：株式会社東芝
• バイポーラ半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-002367   出願人：トヨタ自動車株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-049357   出願人：新電元工業株式会社