半導体装置および半導体装置の制御方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人コスモス特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-169308
公開番号（公開出願番号）：特開2006-344779
出願日： 2005年06月09日
公開日（公表日）： 2006年12月21日
要約：

【課題】コンパクト化,低損失化,および大電流化が図られた半導体装置および半導体装置の制御方法を提供すること。【解決手段】半導体装置100は,IGBT領域とパワーMOS領域とが1チップ内に形成されている。そして,電力供給期間には両領域で電流を流し,還流期間にはパワーMOS領域の内蔵ダイオードを利用して電流を流している。パワーMOS領域のNドリフト領域17は,複数段のPフローティング領域51を有している。さらには,パワーMOS領域のNドリフト領域17は,IGBT領域のN- ドリフト領域12よりも不純物濃度が高い。また,半導体装置100では,還流期間中,IGBT領域をオフとし,パワーMOS領域をオンとする。【選択図】図13

請求項（抜粋）：

電力制御に供する半導体装置において, 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ領域と, 前記絶縁ゲート型バイポーラトランジスタと並列に接続された絶縁ゲート型電界効果型トランジスタ領域とを有し, 前記絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ領域と前記絶縁ゲート型電界効果型トランジスタ領域とが同一半導体チップ内に形成され, 前記絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ領域のゲート電極と,前記絶縁ゲート型電界効果型トランジスタ領域のゲート電極とは,電気的に非接続であることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 27/04 , H01L 29/78 , H01L 21/823 , H01L 27/088

FI (5件)：

H01L29/78 656A , H01L29/78 652H , H01L29/78 653A , H01L29/78 657G , H01L27/08 102E

Fターム (11件)：

5F048AC06 , 5F048AC08 , 5F048AC10 , 5F048BA03 , 5F048BA07 , 5F048BC06 , 5F048BD06 , 5F048BD07 , 5F048BF15 , 5F048BF16 , 5F048CB06

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-160056 出願人：富士電機デバイステクノロジー株式会社

審査官引用 (7件)

半導体整流装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-063284 出願人：株式会社東芝
特開平4-354156
特開昭60-191518

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