特許
J-GLOBAL ID:201003043262281598
シリコン精製方法、シリコン精製装置および再生砥粒
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
野河 信太郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-213008
公開番号(公開出願番号):特開2010-047443
出願日: 2008年08月21日
公開日(公表日): 2010年03月04日
要約:
【課題】シリコンの機械加工を行った際に発生する廃液から従来よりも簡便な手法にて不純物の除去が可能となるシリコン精製方法、および本精製方法に好ましく使用できるシリコン精製装置を提供する。【解決手段】本発明のシリコン精製方法は、シリコンの機械加工を行った際に発生する廃液から酸化シリコンを有するシリコン粉を含む粉末を分離する粉末分離工程と、減圧または不活性ガス雰囲気下の加熱容器中において前記粉末をシリコンの融点以上2000°C以下の温度に加熱し、シリコンが溶融した溶湯とする溶融工程と、前記溶湯に含まれる前記加熱容器の内壁または底に付着する粘度の高い酸化シリコンを前記加熱容器に残し、粘度の低いシリコン融液を冷却容器に出湯する出湯工程と、を備える。【選択図】図2
請求項(抜粋):
シリコンの機械加工を行った際に発生する廃液から酸化シリコンを有するシリコン粉を含む粉末を分離する粉末分離工程と、
減圧または不活性ガス雰囲気下の加熱容器中において前記粉末をシリコンの融点以上2000°C以下の温度に加熱し、シリコンが溶融した溶湯とする溶融工程と、
前記溶湯に含まれる前記加熱容器の内壁または底に付着する粘度の高い酸化シリコンを前記加熱容器に残し、粘度の低いシリコン融液を冷却容器に出湯する出湯工程と、
を備えるシリコン精製方法。
IPC (2件):
FI (2件):
Fターム (12件):
3C047GG13
, 4G072AA01
, 4G072GG03
, 4G072GG04
, 4G072HH01
, 4G072MM03
, 4G072MM08
, 4G072MM23
, 4G072MM24
, 4G072MM25
, 4G072MM38
, 4G072UU01
引用特許: