特許
J-GLOBAL ID：201003044107141530

SOIウェーハの製造方法

発明者：
石塚 徹

石塚 徹 について

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小林 徳弘

小林 徳弘 について

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阿賀 浩司

阿賀 浩司 について

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能登 宣彦

能登 宣彦 について


出願人/特許権者：
信越半導体株式会社

信越半導体株式会社 について


代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-315930
公開番号（公開出願番号）：特開2010-141127
出願日： 2008年12月11日
公開日（公表日）： 2010年06月24日
要約：
【課題】 埋め込み酸化膜の厚さを減ずる熱処理を行った際に熱処理温度等の不均一性が原因となって発生する埋め込み酸化膜の面内分布の悪化を所定の範囲内に制御し、埋め込み酸化膜の膜厚均一性に優れたSOIウェーハを製造することを目的とする。【解決手段】 埋め込み酸化膜上にSOI層が形成されたSOIウェーハ材料に、埋め込み酸化膜の厚さを減ずる熱処理を行うことによって、所定の埋め込み酸化膜厚を有するSOIウェーハを製造する方法において、埋め込み酸化膜の厚さを減ずる熱処理を行うSOIウェーハ材料のSOI層の厚さを、熱処理により減ずる酸化膜の厚さと、熱処理により発生する埋め込み酸化膜の面内レンジの変化量の許容値との比に応じて算出し、該算出されたSOI層の厚さとなるようにボンドウェーハを薄膜化して得られたSOIウェーハ材料に、埋め込み酸化膜の厚さを減ずる熱処理を行うSOIウェーハの製造方法。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ボンドウェーハとベースウェーハの少なくとも一方の表面に酸化膜を形成し、該形成した酸化膜を介して前記ボンドウェーハとベースウェーハとを貼り合わせ、その後ボンドウェーハを薄膜化することで得られた、埋め込み酸化膜上にSOI層が形成されたSOIウェーハ材料に、前記埋め込み酸化膜の厚さを減ずる熱処理を行うことによって、所定の埋め込み酸化膜厚を有するSOIウェーハを製造する方法において、 前記埋め込み酸化膜の厚さを減ずる熱処理を行うSOIウェーハ材料のSOI層の厚さを、前記熱処理により減ずる酸化膜の厚さと、前記熱処理により発生する埋め込み酸化膜の面内レンジの変化量の許容値との比に応じて算出し、該算出されたSOI層の厚さとなるように前記ボンドウェーハを薄膜化して得られたSOIウェーハ材料に、埋め込み酸化膜の厚さを減ずる熱処理を行うことを特徴とするSOIウェーハの製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/02 ,  H01L 27/12
FI (1件)：
H01L27/12 B
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (4件)
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