表示装置及び表示装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人はるか国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-287182
公開番号（公開出願番号）：特開2010-113253
出願日： 2008年11月07日
公開日（公表日）： 2010年05月20日
要約：

【課題】オン電流とオフ電流の適正化を図った薄膜トランジスタを備えた表示装置及びその製造方法を提案することを目的とする。【解決手段】透明基板GAの上側に積層されるゲート電極GTと、その上側に積層されるソース電極ST及びドレイン電極DTと、これらの間に積層されてソース電極ST及びドレイン電極DT間の電流を制御する第1半導体膜Sと、第1半導体膜Sのソース側端部SRとドレイン側端部DRを露出させて第1半導体膜Sの上側に接して積層される絶縁膜ESと、ソース側端部SRとソース電極STとの間と、ドレイン側端部DRとドレイン電極DTとの間の双方で積層される第2半導体膜ASと第3半導体膜DSと、を含み、第3半導体膜DSは、ソース電極ST及びドレイン電極DTとオーミック接合し、第2半導体膜ASは、第3の半導体膜DSの下側に、第3の半導体膜DSよりも高抵抗となるように形成されることを特徴とする表示装置。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

透明基板の上側に積層されるゲート電極と、前記ゲート電極の上側に積層されるソース電極及びドレイン電極と、前記ゲート電極と、前記ソース電極及び前記ドレイン電極との間に積層されて、前記ソース電極及び前記ドレイン電極間の電流を制御する第1の半導体膜と、前記第1の半導体膜のソース電極側端部とドレイン電極側端部を露出させて、前記第1の半導体膜の上側に接して積層される絶縁膜と、前記ソース電極側端部と前記ソース電極との間と、前記ドレイン電極側端部と前記ドレイン電極との間の双方において積層される第2の半導体膜と第3の半導体膜と、を含み、前記第3の半導体膜は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極とオーミック接合し、前記第2の半導体膜は、前記第3の半導体膜の下側に、前記第3の半導体膜よりも高抵抗となるように形成される、ことを特徴とする表示装置。

IPC (5件)：

G09F 9/30 , G09F 9/00 , G02F 1/136 , H01L 29/786 , H01L 29/417

FI (6件)：

G09F9/30 338 , G09F9/00 338 , G02F1/1368 , H01L29/78 616U , H01L29/78 616V , H01L29/50 M

Fターム (75件)：

2H092GA14 , 2H092JA26 , 2H092JA28 , 2H092JB57 , 2H092MA07 , 2H092MA17 , 2H092NA22 , 2H092QA06 , 2H092QA07 , 4M104AA01 , 4M104AA09 , 4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB18 , 4M104BB40 , 4M104CC01 , 4M104DD37 , 4M104DD43 , 4M104FF13 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 5C094AA44 , 5C094AA53 , 5C094BA03 , 5C094BA27 , 5C094BA43 , 5C094DA13 , 5C094DB01 , 5C094FB14 , 5F110AA06 , 5F110BB01 , 5F110CC07 , 5F110CC08 , 5F110DD02 , 5F110DD14 , 5F110EE04 , 5F110FF02 , 5F110FF29 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG14 , 5F110GG16 , 5F110GG44 , 5F110HJ01 , 5F110HJ13 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK09 , 5F110HK16 , 5F110HK22 , 5F110HK25 , 5F110HK33 , 5F110HK34 , 5F110HM15 , 5F110NN02 , 5F110NN12 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN35 , 5F110NN71 , 5F110NN72 , 5F110PP01 , 5F110PP02 , 5F110PP03 , 5F110QQ09 , 5G435AA16 , 5G435AA17 , 5G435BB05 , 5G435BB12 , 5G435HH13 , 5G435KK05

引用特許：

出願人引用 (1件)

薄膜半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-218690 出願人：株式会社日立製作所

審査官引用 (8件)

表示用薄膜半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-301337 出願人：ソニー株式会社
薄膜トランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-059326 出願人：株式会社東芝
薄膜半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-054019 出願人：株式会社東芝

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