特許
J-GLOBAL ID：201003045144064119
CMP後洗浄配合物用の新規な酸化防止剤
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
稲葉 良幸
, 大貫 敏史
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-508606
公開番号（公開出願番号）：特表2010-527405
出願日： 2008年05月16日
公開日（公表日）： 2010年08月12日
要約：
化学機械研磨(CMP)後残渣および汚染物質をその上に有するマイクロエレクトロニクスデバイスから前記残渣および汚染物質を洗浄するための洗浄組成物および方法。この洗浄組成物は、新規な腐食防止剤を含む。この組成物は、low-k誘電体材料または銅配線材料を損傷することなく、マイクロエレクトロニクスデバイス表面からCMP後残渣および汚染物質を非常に有効に洗浄する。
請求項（抜粋）：
少なくとも1種の溶媒、少なくとも1種の腐食防止剤、および少なくとも1種のアミンを含む洗浄組成物であって、前記腐食防止剤が、シアヌル酸;バルビツル酸およびその誘導体;グルクロン酸;スクアリン酸;アルファ-ケト酸;アデノシンおよびその誘導体;プリン化合物およびその誘導体;ホスホン酸誘導体;フェナントロリン/アスコルビン酸;グリシン/アスコルビン酸;ニコチンアミドおよびその誘導体;フラボノールおよびその誘導体;アントシアニンおよびその誘導体;フラボノール/アントシアニン;ならびにこれらの組合せからなる群から選択される化学種を含み、前記洗浄組成物が、残渣をその上に有するマイクロエレクトロニクスデバイスから前記残渣を除去するのに有効である、組成物。
IPC (10件)：
C11D 7/32
, C11D 7/26
, C11D 3/20
, C11D 3/26
, C11D 3/36
, C11D 3/37
, C11D 3/34
, C11D 1/22
, C11D 7/36
, H01L 21/304
C11D7/32
, C11D7/26
, C11D3/20
, C11D3/26
, C11D3/36
, C11D3/37
, C11D3/34
, C11D1/22
, C11D7/36
, H01L21/304 647Z
, H01L21/304 647B
, H01L21/304 647A
, H01L21/304 622Q
4H003DA15
, 4H003EB07
, 4H003EB08
, 4H003EB12
, 4H003EB13
, 4H003EB14
, 4H003EB18
, 4H003EB19
, 4H003EB20
, 4H003EB22
, 4H003EB24
, 4H003EB26
, 4H003ED02
, 4H003ED31
, 4H003ED32
, 4H003EE02
, 4H003FA15
, 5F157AA28
, 5F157AA32
, 5F157AA35
, 5F157AA51
, 5F157AA62
, 5F157AA63
, 5F157AA65
, 5F157AA73
, 5F157AA96
, 5F157BA02
, 5F157BB01
, 5F157BB11
, 5F157BB73
, 5F157BC03
, 5F157BC05
, 5F157BC07
, 5F157BC12
, 5F157BC13
, 5F157BD02
, 5F157BD03
, 5F157BD06
, 5F157BD09
, 5F157BD51
, 5F157BD53
, 5F157BE12
, 5F157BE60
, 5F157BF02
, 5F157BF12
, 5F157BF22
, 5F157BF38
, 5F157BF39
, 5F157CB03
, 5F157CB13
, 5F157CB15
, 5F157DA21
, 5F157DB03
, 5F157DB18
, 5F157DB47
, 5F157DB57
, 5F157DC82
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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