特許
J-GLOBAL ID:201003045203808410
ウエハ及び半導体装置の製造方法及び装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件):
龍華 明裕
, 飯山 和俊
, 明石 英也
, 林 茂則
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-294876
公開番号(公開出願番号):特開2010-123691
出願日: 2008年11月18日
公開日(公表日): 2010年06月03日
要約:
【課題】ウエハに生じた亀裂の有無を検査可能とする方法の提供。【解決手段】スクライブラインにより区画された複数のダイが形成されるウエハWに、前記複数のダイが形成された状態で、前記スクライブラインに沿って複数の区画に亘って延びる損傷試験用の信号線路420を形成する。このウエハWにおいて、前記信号線路420は、前記複数のダイが形成された状態で、区画の間をぬって蛇行しながら延びていてもよい。また、前記信号線路420は、前記複数のダイが形成された状態で、複数の区画を有する区画群毎に配されていてもよい。【選択図】図6
請求項(抜粋):
スクライブラインにより区画された複数のダイが形成されるウエハであって、
前記複数のダイが形成された状態で、前記スクライブラインに沿って複数の区画に亘って延びる損傷試験用の信号線路が形成されているウエハ。
IPC (1件):
FI (2件):
H01L21/66 F
, H01L21/66 S
Fターム (8件):
4M106AA01
, 4M106AA20
, 4M106AC05
, 4M106AC20
, 4M106CA10
, 4M106CA16
, 4M106DH07
, 4M106DH09
引用特許:
出願人引用 (1件)
審査官引用 (5件)
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マイクロ技術基板の熱処理の監視方法および監視装置
公報種別:公表公報
出願番号:特願2009-515907
出願人:コミサリヤ・ア・レネルジ・アトミク
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半導体集積回路素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-031047
出願人:株式会社日立製作所
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特開平1-265533
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半導体装置及びその検査方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2004-092252
出願人:NECエレクトロニクス株式会社
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半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-141051
出願人:株式会社日立製作所, アキタ電子株式会社
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