特許

J-GLOBAL ID：201003045661280301

パルス化したサンプルバイアスを用いる、半導体構造をエッチングするためのパルス化プラズマシステム

発明者： キム, テ, ウォン ,  リー, ギョン-テ ,  パターソン, アレクサンダー ,  トドロウ, ヴァレンティン, エヌ. ,  デシュムーク, シャシャンク, シー.
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (2件)： 園田 吉隆 ,  小林 義教
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-550603
公開番号（公開出願番号）：特表2010-519758
出願日： 2008年02月21日
公開日（公表日）： 2010年06月03日
要約：

半導体構造をエッチングするためのパルス化したサンプルバイアスを用いたパルス化プラズマシステムが記載されている。ある実施形態において、サンプルの一部はパルス化プラズマ・エッチング・プロセスを適用することにより除去される。パルス化プラズマ・エッチング・プロセスは複数のデューティサイクルから成り、各デューティサイクルはプラズマのオン状態とオフ状態の組合せを表す。プラズマは反応ガスから生成され、反応ガスはプラズマのオン状態の間でなくオフ状態の間に補充される。別の実施形態では、サンプルの第1部分は連続プラズマ・エッチング・プロセスを適用して除去される。次に連続エッチング・プロセスは終了され、そしてサンプルの第2部分はパルス化したサンプルバイアスを用いるパルス化プラズマ・エッチング・プロセスを適用することにより除去される。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

サンプルのエッチング方法であって、 パルス化プラズマ・プロセスを適用することによって前記サンプルの一部を除去する工程を含み、この場合前記パルス化プラズマ・プロセスは複数のデューティサイクルから成り、前記オン状態の間に前記サンプルに負のバイアスを印加し、前記オフ状態の間に前記サンプルにゼロバイアスを印加する、方法。

IPC (1件)：

H01L 21/306

FI (2件)：

H01L21/302 105A ,  H01L21/302 101C

Fターム (12件)：

5F004CA01 ,  5F004CA03 ,  5F004CA06 ,  5F004CB09 ,  5F004CB15 ,  5F004CB20 ,  5F004DA00 ,  5F004DA22 ,  5F004DA26 ,  5F004DB01 ,  5F004DB02 ,  5F004EA28

引用特許：

審査官引用 (4件)

• プラズマエッチング方法とその装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-334488   出願人：日本電気株式会社
• プラズマ処理方法および装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-045365   出願人：株式会社日立製作所
• プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-220537   出願人：松下電子工業株式会社
• 半導体ウェーハ処理の一部分中にパルス化プラズマを供給する方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-256459   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド