特許

J-GLOBAL ID：201003048313525871

n型III族窒化物系化合物半導体及びその製造方法

発明者： 永井 誠二 ,  山崎 史郎 ,  薬師 康英 ,  佐藤 峻之 ,  岩井 真 ,  今井 克宏 ,  森 勇介 ,  北岡 康夫
出願人/特許権者： 豊田合成株式会社 ,  日本碍子株式会社 ,  国立大学法人大阪大学
代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-123494
公開番号（公開出願番号）：特開2010-001209
出願日： 2009年05月21日
公開日（公表日）： 2010年01月07日
要約：

【課題】フラックス法において、高品質な高電子濃度のn型半導体結晶を製造できるようにすること。【解決手段】少なくとも III族元素をフラックスを用いて溶融させて溶液とし、この溶液に窒素を含むガスを供給し、この溶液から種結晶上に、 III族窒化物系化合物半導体からなる半導体結晶を育成させるフラックス法による III族窒化物系化合物半導体の製造方法である。炭素と、ゲルマニウムを溶液中に溶解して、半導体結晶にゲルマニウムをドナーとして取り込むことにより、n型の半導体結晶を得る。ガリウムに対するゲルマニウムのモル比を0.05mol%以上、0.5mol%以下であり、炭素のナトリウムに対するモル比を0.1 mol%以上、3.0mol%以下とした。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

少なくとも III族元素をフラックスを用いて溶融させて溶液とし、この溶液に窒素を含むガスを供給し、この溶液から種結晶上に、 III族窒化物系化合物半導体からなる半導体結晶を育成させるフラックス法による III族窒化物系化合物半導体の製造方法において、 炭素と、ゲルマニウムを溶液中に溶解して、前記半導体結晶にゲルマニウムをドナーとして取り込むことにより、n型の半導体結晶を得ることを特徴とするn型 III族窒化物系化合物半導体の製造方法。

IPC (2件)：

C30B 29/38 ,  C30B 19/10

FI (2件)：

C30B29/38 D ,  C30B19/10

Fターム (21件)：

4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077AB06 ,  4G077BE15 ,  4G077CG01 ,  4G077CG06 ,  4G077EA06 ,  4G077EB01 ,  4G077EC08 ,  4G077EC10 ,  4G077ED05 ,  4G077EG07 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077QA01 ,  4G077QA12 ,  4G077QA21 ,  4G077QA27 ,  4G077QA34 ,  4G077QA79

引用特許：

審査官引用 (2件)

• III-V族窒化物系半導体基板及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-258387   出願人：日立電線株式会社
• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-112977   出願人：シャープ株式会社