特許
J-GLOBAL ID：201003048409238962
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
山崎 宏
, 田中 光雄
, 仲倉 幸典
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-084913
公開番号（公開出願番号）：特開2010-238892
出願日： 2009年03月31日
公開日（公表日）： 2010年10月21日
要約：
【課題】電極の剥がれを防ぐことができると共に、製造コストを低減できる半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置は、第1リード6、第2リード7および第3リード8を有するリードフレーム1を備える。第1リード6上にはパワートランジスタ2が配置されて、パワートランジスタ2が第1リード6に接続されている。パワートランジスタ2は第1リード6側とは反対側にドレイン電極を有し、このドレイン電極がパワートランジスタ2上のCuチップ3に接続されている。Cuチップ3は、Alワイヤ4を介して第2リード7に接続されている。これにより、Alワイヤ4をワイヤボンドする際、ワイヤボンドによる衝撃をCuチップ3で吸収したり、ワイヤボンドによる圧力をCuチップ3で分散させたり、ワイヤボンドによる熱をCuチップ3で拡散させたりすることができる。【選択図】図1A
請求項（抜粋）：
第1の金属板と、
上記第1の金属板上に配置され、上記第1の金属板に接続されると共に、上記第1の金属板側とは反対側に第1の電極を有する半導体チップと、
上記半導体チップ上に配置され、上記第1の電極に接続された金属片と、
一方の端部が上記金属片に接続された第1の配線部と、
上記第1の配線部の他方の端部に接続された第2の金属板と
を備えることを特徴とする半導体装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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