特許
J-GLOBAL ID：200903098982780476
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-299137
公開番号（公開出願番号）：特開2007-109880
出願日： 2005年10月13日
公開日（公表日）： 2007年04月26日
要約：
【課題】高い接合信頼性を確保できるヒートスプレッダを有する半導体装置を供給すること。【解決手段】ヒートスプレッダ1をモリブデン板2で形成し、このモリブデン板2の両面に銅めっき膜3、4を形成し、上面の銅めっき膜3と配線としての銅板5を超音波接合し、下面の銅めっき膜4をはんだ7を介してIGBTチップ6のエミッタ電極8に固着することで、強固で高い接合信頼性を確保することができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体チップと、該半導体チップ上に下方の面が固着するヒートスプレッダと、該ヒートスプレッダの上方の面と固着する導電板とを有する半導体装置において、
前記ヒートスプレッダが導電体で形成され、該導電体の上方の面に第1導電膜を被覆し、該第1導電膜と前記導電板を超音波接合することを特徴とする半導体装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
出願人引用 (3件)
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パワー半導体モジュール
公報種別：公開公報
出願番号：特願平11-110313
出願人：三菱電機株式会社
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大電力半導体デバイス
公報種別：公開公報
出願番号：特願平7-217804
出願人：株式会社日立製作所
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パワーモジュール
公報種別：公開公報
出願番号：特願2003-182676
出願人：三菱マテリアル株式会社
審査官引用 (6件)
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