特許
J-GLOBAL ID：201003048532109107

半導体装置の製造方法

発明者：
小林 源臣

小林 源臣 について

, 
野崎 秀樹

野崎 秀樹 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 堀口 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-215850
公開番号（公開出願番号）：特開2010-050416
出願日： 2008年08月25日
公開日（公表日）： 2010年03月04日
要約：
【課題】座繰りを有する半導体ウェーハを確実にチップに分割できる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】第1の面10aに複数の半導体素子11が形成され、第1の面10aと対向する第2の面10bに座繰り部12と、座繰り部12を取り囲むリム部13とが形成された半導体ウェーハ10を準備する工程と、半導体ウェーハ10の第1および第2の面10a、10bのうちの一方の面にテープ15を貼り付ける工程と、第1および第2の面10a、10bのうちの他方の面側から、ダイシングライン20に沿って、座繰り部12にレーザを照射し、座繰り部12内の半導体ウェーハ10を切断してチップに分割する工程と、を具備する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1の面に複数の半導体素子が形成され、前記第1の面と対向する第2の面に座繰り部と、前記座繰り部を取り囲むリム部とが形成された半導体ウェーハを準備する工程と、 前記半導体ウェーハの前記第1および第2の面のうちの一方の面にテープを貼り付ける工程と、 前記第1および第2の面のうちの他方の面側から、ダイシングラインに沿って、前記座繰り部にレーザを照射し、前記座繰り部内の前記半導体ウェーハを切断してチップに分割する工程と、 を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (1件)：
H01L 21/301
FI (3件)：
H01L21/78 Q ,  H01L21/78 B ,  H01L21/78 C
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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