特許

J-GLOBAL ID：201003048720990813

窒化物半導体素子

発明者： 齋藤 渉 ,  斉藤 泰伸 ,  新田 智洋 ,  垣内 頼人 ,  藤本 英俊 ,  吉岡 啓 ,  大野 哲也
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-278545
公開番号（公開出願番号）：特開2010-109086
出願日： 2008年10月29日
公開日（公表日）： 2010年05月13日
要約：

【課題】本発明は、低オン抵抗でノーマリーオフ型の窒化物半導体素子を提供する。【解決手段】本発明の一態様によれば、p型窒化物半導体の第1の半導体層と、第1の半導体層上に設けられたアンドープ窒化物半導体の第2の半導体層と、第2の半導体層上に選択的に設けられたアンドープまたはn型窒化物半導体の第3の半導体層と、第3の半導体層上に設けられた第1の主電極と、第3の半導体層上に設けられた第2の主電極と、第2の半導体層上に設けられた絶縁膜と、絶縁膜上に設けられた制御電極と、を備え、第3の半導体層のバンドギャップは、第2の半導体層のバンドギャップよりも大きく、制御電極は、第1の主電極と第2の主電極との間に位置することを特徴とする窒化物半導体素子が提供される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

p型窒化物半導体の第1の半導体層と、 前記第1の半導体層上に設けられたアンドープ窒化物半導体の第2の半導体層と、 前記第2の半導体層上に選択的に設けられたアンドープまたはn型窒化物半導体の第3の半導体層と、 前記第3の半導体層上に設けられた第1の主電極と、 前記第3の半導体層上に設けられた第2の主電極と、 前記第2の半導体層上に設けられた絶縁膜と、 前記絶縁膜上に設けられた制御電極と、 を備え、 前記第3の半導体層のバンドギャップは、前記第2の半導体層のバンドギャップよりも大きく、 前記制御電極は、前記第1の主電極と前記第2の主電極との間に位置することを特徴とする窒化物半導体素子。

IPC (6件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/47 ,  H01L 29/872

FI (3件)：

H01L29/78 301B ,  H01L29/80 H ,  H01L29/48 D

Fターム (44件)：

4M104AA04 ,  4M104AA07 ,  4M104CC03 ,  4M104FF03 ,  4M104FF27 ,  4M104GG03 ,  5F102FA00 ,  5F102FA02 ,  5F102GB05 ,  5F102GC01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GR07 ,  5F102GR11 ,  5F102HC15 ,  5F140AA06 ,  5F140AA24 ,  5F140AA25 ,  5F140AA30 ,  5F140BA01 ,  5F140BA06 ,  5F140BA09 ,  5F140BA17 ,  5F140BB05 ,  5F140BB06 ,  5F140BB18 ,  5F140BD01 ,  5F140BD02 ,  5F140BD07 ,  5F140BD11 ,  5F140BD12 ,  5F140BF43 ,  5F140BF51 ,  5F140BJ25 ,  5F140BJ27 ,  5F140CD01 ,  5F140CD09

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-311450   出願人：株式会社東芝
• 窒化物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-099359   出願人：株式会社東芝
• MIS構造を内蔵するHEMT
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-336208   出願人：株式会社豊田中央研究所, トヨタ自動車株式会社
• 窒化物半導体装置とそれを含む電力変換装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-037298   出願人：シャープ株式会社