特許
J-GLOBAL ID：200903022262265900

窒化物半導体装置とそれを含む電力変換装置

発明者：
岡 徹

岡 徹 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (7件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行 ,  荒川 伸夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-037298
公開番号（公開出願番号）：特開2009-200096
出願日： 2008年02月19日
公開日（公表日）： 2009年09月03日
要約：
【課題】高いバイアス電圧を印加した際に生じるリーク電流が小さくてオフ動作時の損失の小さい窒化物半導体装置を提供する。【解決手段】 窒化物半導体装置は、下地半導体層(1、2)上に順次積層された第1、第2、および第3の窒化物半導体層(3、4、5)を含み、第3窒化物半導体層は第2窒化物半導体層に比べて広い禁制帯幅を有し、第3窒化物半導体層の上面から第2窒化物半導体層の部分的深さまで掘り込まれたリセス領域(10)、このリセス領域を挟む一方側と他方側において第3窒化物半導体層または第2窒化物半導体層に接してそれぞれ形成された第1電極(6)と第2電極(7)、第3窒化物半導体層上とリセス領域の内面上に形成された絶縁膜(9)、およびリセス領域において絶縁膜上に形成された制御電極(8)をさらに含むことを特徴としている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
下地半導体層上に順次積層された第1、第2、および第3の窒化物半導体層を含み、前記第3窒化物半導体層は前記第2窒化物半導体層に比べて広い禁制帯幅を有し、 前記第3窒化物半導体層の上面から前記第2窒化物半導体層の部分的深さまで掘り込まれたリセス領域、 前記リセス領域を挟む一方側と他方側において前記第3窒化物半導体層または前記第2窒化物半導体層に接してそれぞれ形成された第1電極と第2電極、 前記第3窒化物半導体層上と前記リセス領域の内面上に形成された絶縁膜、および 前記リセス領域において前記絶縁膜上に形成された制御電極をさらに含むことを特徴とする窒化物半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/861 ,  H02M 3/155
FI (3件)：
H01L29/80 H ,  H01L29/91 F ,  H02M3/155 Z
Fターム (32件)：
5F102FA00 ,  5F102FA02 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ05 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL01 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ02 ,  5F102GR04 ,  5F102GR12 ,  5F102GS01 ,  5F102GS04 ,  5F102GT01 ,  5F102GT02 ,  5F102GT03 ,  5F102GT05 ,  5F102GT06 ,  5F102GV05 ,  5F102GV06 ,  5F102GV07 ,  5F102GV08 ,  5H730AA14 ,  5H730BB14 ,  5H730ZZ15
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (8件)
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