特許
J-GLOBAL ID：201003049677062776

テクスチャーの形成方法

発明者：
竹井 日出夫

竹井 日出夫 について

, 
佐藤 宗之

佐藤 宗之 について

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水野 健二

水野 健二 について

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崎尾 進

崎尾 進 について


出願人/特許権者：
株式会社アルバック

株式会社アルバック について


代理人 (2件)： 阿部 英樹 ,  石島 茂男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-178051
公開番号（公開出願番号）：特開2010-021196
出願日： 2008年07月08日
公開日（公表日）： 2010年01月28日
要約：
【課題】シリコン表面における発電面積を大きくするとともに、反射率のより低減が可能な技術を提供する。 【解決手段】本発明は、真空処理槽内に処理ガスを導入し、ドライエッチング法によってシリコン系処理対象物の表面をエッチングしてテクスチャーを形成する工程(P2、P3)を有するテクスチャー形成方法である。処理ガスとしては、三フッ化窒素ガス、塩素ガス及び酸素ガスを含有する混合ガスを用いる。本発明によれば、シリコン表面により深い微細なテクスチャーを形成することができる。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
真空処理槽内に処理ガスを導入し、ドライエッチング法によってシリコン系処理対象物の表面をエッチングしてテクスチャーを形成する工程を有するテクスチャー形成方法であって、 当該導入される処理ガスが、酸素ガス、三フッ化窒素ガス、塩素ガスを含有する混合ガスであるテクスチャー形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/306 ,  H01L 31/04
FI (2件)：
H01L21/302 105B ,  H01L31/04 H
Fターム (9件)：
5F004BA04 ,  5F004BB13 ,  5F004DA04 ,  5F004DA17 ,  5F004DA26 ,  5F004DB02 ,  5F051AA03 ,  5F051CB22 ,  5F051GA15
引用特許：
出願人引用 (5件)
全件表示
審査官引用 (2件)

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