特許

J-GLOBAL ID：201003050098580216

固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器

発明者： 高橋 洋
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (2件)： 角田 芳末 ,  伊藤 仁恭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-287012
公開番号（公開出願番号）：特開2010-114324
出願日： 2008年11月07日
公開日（公表日）： 2010年05月20日
要約：

【課題】CMOS固体撮像装置における電荷読み出しトランジスタのゲート電極を縦型構成として画素サイズの微細化を可能にしつつ、各トランジスタにおけるチャネル領域の電位コントロールを確実ならしめる。【解決手段】基板20と、基板20内に埋め込まれたフォトダイオードPD1,PD2と、フォトダイオードPD1,PD2の信号電荷を読み出す為に基板の深さ方向に埋め込まれて形成された、電荷読み出しトランジスタTr1の縦型のゲート電極26と、縦型の読み出しゲート電極26とは異なる電極材料で形成された、他のトランジスタTr2,Tr3の平面型のゲート電極31,33とを有する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

基板と、 前記基板内に埋め込まれたフォトダイオードと、 前記フォトダイオードの信号電荷を読み出す為に前記基板の深さ方向に埋め込まれて形成された、電荷読み出しトランジスタの縦型のゲート電極と、 前記縦型のゲート電極とは異なる電極材料で形成された、他のトランジスタの平面型のゲート電極と を有する固体撮像装置。

IPC (4件)：

H01L 27/146 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/06 ,  H01L 27/088

FI (3件)：

H01L27/14 A ,  H01L27/06 102A ,  H01L27/08 102C

Fターム (34件)：

4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA04 ,  4M118CA23 ,  4M118DD04 ,  4M118DD12 ,  4M118EA01 ,  4M118FA06 ,  4M118FA26 ,  4M118FA27 ,  4M118FA28 ,  4M118FA33 ,  4M118GD04 ,  5F048AA01 ,  5F048AA07 ,  5F048AB07 ,  5F048AB10 ,  5F048AC01 ,  5F048AC03 ,  5F048AC10 ,  5F048BA01 ,  5F048BB04 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BB10 ,  5F048BB11 ,  5F048BB15 ,  5F048BB19 ,  5F048BC02 ,  5F048BC03 ,  5F048BD01 ,  5F048BF11 ,  5F048BF16

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 固体撮像素子およびその駆動方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-261208   出願人：ソニー株式会社
• 固体撮像装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-028353   出願人：ソニー株式会社

審査官引用 (3件)

• 固体撮像装置およびその製造方法、電子情報機器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-097461   出願人：シャープ株式会社
• 半導体装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-171751   出願人：株式会社ルネサステクノロジ
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-313661   出願人：エルピーダメモリ株式会社