特許
J-GLOBAL ID：201003051582013950

半導体装置およびその製造方法

発明者：
村山 修一

村山 修一 について


出願人/特許権者：
ニチコン株式会社

ニチコン株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-170630
公開番号（公開出願番号）：特開2010-010574
出願日： 2008年06月30日
公開日（公表日）： 2010年01月14日
要約：
【課題】半導体素子の傾きおよびヒートスプレッダに対する半導体素子の位置を、簡易かつ安価に制御することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】ヒートスプレッダ13上には、溶融したはんだの不要な広がりを防止するために、半導体素子11の周囲を取り囲むように溶融したはんだの流れを堰き止めるはんだダム25がヒートスプレッダ13の表面に対して突設されている。はんだダム25のうち、矩形状の半導体素子11の4隅部の各隅部の間に位置する辺部に面する辺部領域251が半導体素子11の辺部の近傍に沿うように該辺部に対して平行に形成されている。また、はんだダム25のうち、半導体素子11の隅部に面する隅部領域252が半導体素子11の隅部から離れて形成され、はんだ(溶融したはんだ)の一部が半導体素子11の各隅部外方に広がるように、はんだ溜り部Pを形成する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
ヒートスプレッダと、該ヒートスプレッダ上にはんだで接続される矩形状の半導体素子とを備えた半導体装置において、 前記ヒートスプレッダ上で、前記半導体素子の周囲を取り囲むように前記ヒートスプレッダ表面に対して突設された、溶融したはんだの流れを堰き止めるはんだダムをさらに備え、 前記はんだダムのうち、前記半導体素子の4隅部の各隅部の間に位置する辺部に面する辺部領域が前記半導体素子の辺部の近傍に沿うように該辺部に対して平行に形成され、前記半導体素子の隅部に面する隅部領域が前記半導体素子の隅部から離れて形成され、 前記半導体素子の各隅部外方に、互いに同一形状のはんだ溜り部を形成したことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 23/12 ,  H01L 23/36
FI (2件)：
H01L23/12 F ,  H01L23/36 Z
Fターム (4件)：
5F136BC03 ,  5F136DA13 ,  5F136EA13 ,  5F136FA02
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (2件)
  • 半導体集積装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-232402   出願人：三菱電機株式会社
  • セラミックス回路基板
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-368250   出願人：株式会社東芝

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