特許
J-GLOBAL ID：200903096230529062
少数キャリアの注入が抑制される炭化シリコン接合障壁ショットキーダイオード
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
谷 義一
, 阿部 和夫
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-511363
公開番号（公開出願番号）：特表2008-541459
出願日： 2006年05月10日
公開日（公表日）： 2008年11月20日
要約：
接合障壁ショットキー(JBS)構造内のビルトインPiNダイオードの電流伝導を阻止する一体構造が提供される。このPiNダイオードと直列に、PiNダイオードとは逆向きのショットキーダイオードを組み込むことができる。PiNダイオードとショットキーコンタクトとの間に、直列抵抗または絶縁層を形成することができる。ダイオードのドリフト領域内に配置された炭化シリコン接合障壁領域を含む炭化シリコンショットキーダイオード、およびこの炭化シリコンショットキーダイオードを製造する方法も提供される。この接合障壁領域は、ダイオードのドリフト領域内にあって第1のドーピング濃度を有する第1の炭化シリコン領域と、ドリフト領域内にあって、第1の炭化シリコン領域とショットキーダイオードのショットキーコンタクトとの間に配置された第2の炭化シリコン領域とを含む。第2の領域は、第1の炭化シリコン領域およびショットキーコンタクトと接触する。第2の炭化シリコン領域は、第1のドーピング濃度よりも低い第2のドーピング濃度を有する。
請求項（抜粋）：
炭化シリコンショットキーダイオードであって、
炭化シリコンドリフト領域と、
前記炭化シリコンドリフト領域上のショットキーコンタクトと、
前記ダイオードの前記炭化シリコンドリフト領域内に配置された炭化シリコン接合障壁領域と
を含み、前記接合障壁領域は、
前記ダイオードの前記ドリフト領域内にあって第1のドーピング濃度を有する第1の炭化シリコン領域と、
前記ドリフト領域内にあって、前記第1の炭化シリコン領域と前記ショットキーダイオードの前記ショットキーコンタクトとの間に配置され、前記第1の炭化シリコン領域および前記ショットキーコンタクトと電気的に接触し、前記第1のドーピング濃度よりも低い第2のドーピング濃度を有し、前記ショットキーコンタクトとのショットキー整流接合を形成する第2の炭化シリコン領域と
を含むことを特徴とする炭化シリコンショットキーダイオード。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L29/48 M
, H01L29/48 D
4M104AA03
, 4M104BB02
, 4M104BB05
, 4M104BB13
, 4M104BB14
, 4M104CC01
, 4M104CC03
, 4M104DD26
, 4M104DD78
, 4M104EE02
, 4M104EE14
, 4M104EE16
, 4M104EE17
, 4M104FF02
, 4M104FF35
, 4M104GG02
, 4M104GG03
, 4M104GG18
出願人引用 (3件)
-
国際公開第WO97/08754号パンフレット
-
米国特許第6573128号明細書
-
米国特許出願公開第2004/0135153A1号明細書
審査官引用 (10件)
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