特許
J-GLOBAL ID：201003052388822330

薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置

発明者：
中山 昌哉

中山 昌哉 について

, 
小糸 直希

小糸 直希 について


出願人/特許権者：
富士フイルム株式会社

富士フイルム株式会社 について


代理人 (4件)： 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  西元 勝一 ,  福田 浩志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-233724
公開番号（公開出願番号）：特開2010-067849
出願日： 2008年09月11日
公開日（公表日）： 2010年03月25日
要約：
【課題】本発明の目的は、移動度が高く、高ON/OFF比を示す薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置を提供することである。【解決手段】基板1上に、少なくとも、ゲート電極2、ゲート絶縁膜3、活性層4、ソース電極5-1及びドレイン電極5-2を有する薄膜電界効果型トランジスタであって、前記活性層が酸化物半導体層であり、前記活性層と前記ソース電極及びドレイン電極の少なくとも一方との間に酸化物半導体層からなる抵抗層6を有し、前記活性層の電気伝導度が10-4Scm-1以上102Scm-1未満であり、且つ、前記抵抗層の電気伝導度に対する前記活性層の電気伝導度の比率(活性層の電気伝導度/抵抗層の電気伝導度)が、101以上1010以下であり、前記ソース電極及びドレイン電極の少なくとも一方の前記抵抗層と接する面側がTi又はTi合金層8-1,8-2である薄膜電界効果型トランジスタ。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上に、少なくとも、ゲート電極、ゲート絶縁膜、活性層、ソース電極及びドレイン電極を有する薄膜電界効果型トランジスタであって、前記活性層が酸化物半導体層であり、前記活性層と前記ソース電極及びドレイン電極の少なくとも一方との間に前記活性層より電気伝導度の低い酸化物半導体層からなる抵抗層を有し、前記活性層の電気伝導度が10-4Scm-1以上102Scm-1未満であり、且つ、前記抵抗層の電気伝導度に対する前記活性層の電気伝導度の比率(活性層の電気伝導度/抵抗層の電気伝導度)が、101以上1010以下であり、前記ソース電極及びドレイン電極の少なくとも一方の前記抵抗層に面する側がTi又はTi合金層である薄膜電界効果型トランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 29/786 ,  H01L 51/50
FI (3件)：
H01L29/78 618E ,  H01L29/78 618B ,  H05B33/14 A
Fターム (66件)：
3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC21 ,  3K107CC45 ,  3K107EE03 ,  3K107HH05 ,  5F110AA01 ,  5F110AA05 ,  5F110AA14 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD15 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE38 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF28 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG04 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG51 ,  5F110GG58 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK33 ,  5F110HL07 ,  5F110HL23 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN32 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN40 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ14
引用特許：
出願人引用 (6件)
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