特許
J-GLOBAL ID：201003054143281425

太陽電池素子および太陽電池素子の製造方法

発明者：
古茂田 学

古茂田 学 について

, 
福井 健次

福井 健次 について

, 
梅田 耕太郎

梅田 耕太郎 について


出願人/特許権者：
京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


代理人 (2件)： 吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-297961
公開番号（公開出願番号）：特開2010-123859
出願日： 2008年11月21日
公開日（公表日）： 2010年06月03日
要約：
【課題】発電効率の優れた太陽電池素子を提供する。【解決手段】第1の面と第2の面とを含み、第1の導電型を有する半導体基板と、第1の導電型に寄与するドーパントを半導体基板よりも高い濃度で含有し、半導体基板の第1の面に設けられた第1ドープ層と、第1の導電型に寄与するドーパントを半導体基板よりも高い濃度で含有し、半導体基板の第2の面の第1領域に設けられた第2ドープ層と、半導体基板の第2の面の第2領域に設けられた真性半導体層と、第2の導電型を有し、真性半導体層上に形成された第2の導電型の層と、を有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1の面と第2の面とを含み、第1の導電型を有する半導体基板と、 前記第1の導電型に寄与するドーパントを前記半導体基板よりも高い濃度で含有し、前記半導体基板の前記第1の面に設けられた第1ドープ層と、 前記第1の導電型に寄与するドーパントを前記半導体基板よりも高い濃度で含有し、前記半導体基板の前記第2の面の第1領域に設けられた第2ドープ層と、 前記半導体基板の前記第2の面の第2領域に設けられた真性半導体層と、 第2の導電型を有し、前記真性半導体層上に形成された第2の導電型の層と、 を有する太陽電池素子。
IPC (1件)：
H01L 31/04
FI (2件)：
H01L31/04 A ,  H01L31/04 B
Fターム (44件)：
5F051AA03 ,  5F051AA05 ,  5F051AA16 ,  5F051CA02 ,  5F051CA03 ,  5F051CA07 ,  5F051CA08 ,  5F051CA15 ,  5F051CA35 ,  5F051CB12 ,  5F051CB20 ,  5F051CB22 ,  5F051CB27 ,  5F051DA04 ,  5F051FA06 ,  5F051FA15 ,  5F051FA18 ,  5F051FA25 ,  5F051GA03 ,  5F051GA15 ,  5F051HA03 ,  5F051HA07 ,  5F151AA03 ,  5F151AA05 ,  5F151AA16 ,  5F151CA02 ,  5F151CA03 ,  5F151CA07 ,  5F151CA08 ,  5F151CA15 ,  5F151CA35 ,  5F151CB12 ,  5F151CB20 ,  5F151CB22 ,  5F151CB27 ,  5F151DA04 ,  5F151FA06 ,  5F151FA15 ,  5F151FA18 ,  5F151FA25 ,  5F151GA03 ,  5F151GA15 ,  5F151HA03 ,  5F151HA07
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (9件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM