インバータ及びその動作方法並びにインバータを含む論理回路

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：村山靖彦 , 志賀正武 , 渡邊隆 , 実広信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-227723
公開番号（公開出願番号）：特開2010-087518
出願日： 2009年09月30日
公開日（公表日）： 2010年04月15日
要約：

【課題】インバータ及びその動作方法並びにインバータを含む論理回路を提供する。【解決手段】負荷トランジスタと駆動トランジスタとを含み、負荷トランジスタと駆動トランジスタとのうち、少なくとも一つは、ダブルゲート構造を有するインバータである。該ダブルゲート構造によって、負荷トランジスタまたは前記駆動トランジスタのスレショルド電圧が調節され、従って、該インバータは、E/D(enhancement/depletion)モードでありうる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

負荷トランジスタと、前記負荷トランジスタと連結された駆動トランジスタとを含み、前記負荷トランジスタ及び前記駆動トランジスタのうち、少なくともいずれか一つは、ダブルゲート構造を有するインバータ。

IPC (10件)：

H01L 29/786 , H01L 27/08 , H01L 21/823 , H01L 27/092 , H01L 27/088 , H01L 21/28 , H01L 29/423 , H01L 29/49 , H01L 21/822 , H01L 27/04

FI (9件)：

H01L29/78 613Z , H01L29/78 617N , H01L29/78 618B , H01L27/08 331E , H01L27/08 321L , H01L27/08 311C , H01L21/28 301B , H01L29/58 G , H01L27/04 F

Fターム (36件)：

4M104AA03 , 4M104AA09 , 4M104CC05 , 4M104FF02 , 4M104GG09 , 4M104GG14 , 5F038DF01 , 5F038DF05 , 5F038EZ06 , 5F038EZ20 , 5F048AA00 , 5F048AB01 , 5F048AB03 , 5F048AB04 , 5F048BA14 , 5F048BA16 , 5F048BB02 , 5F048BB14 , 5F048BC06 , 5F048BF15 , 5F048BF16 , 5F110AA04 , 5F110BB01 , 5F110BB03 , 5F110BB05 , 5F110BB11 , 5F110CC01 , 5F110CC02 , 5F110CC07 , 5F110CC08 , 5F110EE30 , 5F110GG01 , 5F110HJ13 , 5F110HK31 , 5F110HM15 , 5F110NN78

引用特許：

出願人引用 (5件)

デュアルゲート有機トランジスタを用いたインバータ
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-243345 出願人：韓國電子通信研究院
半導体装置および半導体表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-104759 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
複合金属酸化物を含むチャネルを有する半導体デバイス
公報種別：公表公報出願番号：特願2007-502848 出願人：ヒューレット-パッカードデベロップメントカンパニーエル.ピー.

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審査官引用 (5件)

デュアルゲート有機トランジスタを用いたインバータ
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-243345 出願人：韓國電子通信研究院
複合金属酸化物を含むチャネルを有する半導体デバイス
公報種別：公表公報出願番号：特願2007-502848 出願人：ヒューレット-パッカードデベロップメントカンパニーエル.ピー.
原子層蒸着法を利用したp型ZnO半導体膜の製造方法及びその製造方法で製造されたZnO半導体膜を含む薄膜トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-002403 出願人：韓國電子通信研究院

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引用文献：

出願人引用 (2件)

審査官引用 (2件)

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