特許
J-GLOBAL ID：201003056303738527

半導体装置及びその製造方法

発明者：
松田 擁

松田 擁 について

, 
宮田 恭子

宮田 恭子 について


出願人/特許権者：
エルピーダメモリ株式会社

エルピーダメモリ株式会社 について


代理人 (4件)： 鷲頭 光宏 ,  緒方 和文 ,  黒瀬 泰之 ,  三谷 拓也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-261744
公開番号（公開出願番号）：特開2010-166026
出願日： 2009年11月17日
公開日（公表日）： 2010年07月29日
要約：
【課題】幅の狭い溝状領域への層間絶縁膜の形成にポリシラザンを用いた場合のシリコン酸化膜への改質が良好に行われる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】上面及び側面をキャップ絶縁膜107及びサイドウォール絶縁膜108で覆われた複数のビット線106間に形成された溝状領域109と、N(窒素)よりもO(酸素)を多く含み溝状領域109の内表面を連続的に覆うSiON膜10と、SiON膜10を介して溝状領域109内に埋め込まれ、ポリシラザンを改質することによって形成されたシリコン酸化膜11とを備える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
溝状領域と、 N(窒素)よりもO(酸素)を多く含み前記溝状領域の内表面を連続的に覆うSiON膜と、 前記SiON膜を介して前記溝状領域内に埋め込まれ、ポリシラザンを改質することによって形成されたシリコン酸化膜とを備えることを特徴とする半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 21/824 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/76 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/316 ,  C23C 16/42
FI (10件)：
H01L27/10 681D ,  H01L21/76 L ,  H01L27/10 621C ,  H01L27/10 671B ,  H01L27/10 671A ,  H01L21/90 Q ,  H01L21/316 M ,  H01L21/316 X ,  H01L21/316 G ,  C23C16/42
Fターム (126件)：
4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030AA18 ,  4K030AA24 ,  4K030BA29 ,  4K030BA35 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA08 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030JA03 ,  4K030JA06 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030LA15 ,  5F032AA11 ,  5F032AA35 ,  5F032AA44 ,  5F032AA45 ,  5F032AA46 ,  5F032AA67 ,  5F032AA74 ,  5F032BA02 ,  5F032BA10 ,  5F032CA17 ,  5F032DA02 ,  5F032DA10 ,  5F032DA23 ,  5F032DA33 ,  5F032DA53 ,  5F032DA74 ,  5F033HH04 ,  5F033HH19 ,  5F033HH28 ,  5F033HH34 ,  5F033JJ04 ,  5F033JJ06 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ25 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033LL04 ,  5F033MM05 ,  5F033MM07 ,  5F033MM13 ,  5F033NN03 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033NN40 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ49 ,  5F033QQ74 ,  5F033QQ76 ,  5F033QQ91 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033RR20 ,  5F033SS01 ,  5F033SS02 ,  5F033SS11 ,  5F033SS13 ,  5F033SS22 ,  5F033TT02 ,  5F033TT08 ,  5F033VV06 ,  5F033VV16 ,  5F033WW00 ,  5F033WW03 ,  5F033WW04 ,  5F033WW05 ,  5F033XX02 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BC11 ,  5F058BD04 ,  5F058BD15 ,  5F058BF04 ,  5F058BF23 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BF46 ,  5F058BH03 ,  5F058BJ06 ,  5F083AD03 ,  5F083AD06 ,  5F083AD10 ,  5F083AD24 ,  5F083AD48 ,  5F083AD49 ,  5F083GA02 ,  5F083GA10 ,  5F083GA25 ,  5F083GA27 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA56 ,  5F083JA58 ,  5F083KA01 ,  5F083KA05 ,  5F083LA01 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083MA02 ,  5F083MA03 ,  5F083MA05 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA17 ,  5F083MA19 ,  5F083MA20 ,  5F083NA01 ,  5F083PR05 ,  5F083PR10 ,  5F083PR21 ,  5F083PR23 ,  5F083PR25 ,  5F083PR33 ,  5F083PR40
引用特許：
審査官引用 (5件)
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