特許
J-GLOBAL ID：201003056400280497

半導体レーザおよびその製造方法

発明者：
前田 修

前田 修 について

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増井 勇志

増井 勇志 について

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汐先 政貴

汐先 政貴 について

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佐藤 進

佐藤 進 について

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荒木田 孝博

荒木田 孝博 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (4件)： 藤島 洋一郎 ,  三反崎 泰司 ,  長谷部 政男 ,  田名網 孝昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-054677
公開番号（公開出願番号）：特開2010-212332
出願日： 2009年03月09日
公開日（公表日）： 2010年09月24日
要約：
【課題】レーザ光の偏光方向を一方向に安定化することが可能な半導体レーザを提供する。【解決手段】基板10側から順に、下部DBRミラー層11、下部スペーサ層15A、発光領域16Aを有する活性層16、上部スペーサ層15B、電流狭窄層17、上部DBRミラー層18およびコンタクト層19を有する積層構造20を備える。積層構造20は柱状のメサ部21を有する。下部DBRミラー層11内の下部第2DBRミラー層13は、発光領域16Aと対応する領域の周辺に酸化部30を有する。酸化部30は、発光領域16Aを中心にして回転する方向に不均一に分布する一対の酸化部31,32からなる。酸化部31,32は、低屈折率層13Aの中の相対的に酸化されやすい複数の屈折率層を酸化することにより複数の酸化層31A,32Aとして形成されている。酸化層31A,32Aの不均一な分布に対応した異方的な応力が活性層16に発生する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
基板側から順に、下部多層膜反射鏡、活性層および上部多層膜反射鏡を含む積層構造を備え、 前記積層構造は、前記下部多層膜反射鏡の上部部分、前記活性層および前記上部多層膜反射鏡を含む柱状のメサ部を有し、 前記下部多層膜反射鏡は、低屈折率層および高屈折率層の組を複数組有すると共に、前記低屈折率層のうちの少なくとも1層の中の中央領域を除く領域に、前記メサ部の中心軸を中心にして回転する方向に不均一に分布する複数の酸化層を有する 半導体レーザ。
IPC (1件)：
H01S 5/183
FI (1件)：
H01S5/183
Fターム (11件)：
5F173AC03 ,  5F173AC13 ,  5F173AC34 ,  5F173AC35 ,  5F173AC42 ,  5F173AC48 ,  5F173AC52 ,  5F173AH02 ,  5F173AP05 ,  5F173AP33 ,  5F173AR43
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (1件)

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