特許
J-GLOBAL ID：201003056448564586

半導体装置の製造方法

発明者：
畠山 恵一

畠山 恵一 について

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蔵渕 和彦

蔵渕 和彦 について

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安田 雅昭

安田 雅昭 について

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加藤 利彦

加藤 利彦 について

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松崎 隆行

松崎 隆行 について


出願人/特許権者：
日立化成工業株式会社

日立化成工業株式会社 について


代理人 (2件)： 長谷川 芳樹 ,  清水 義憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-197066
公開番号（公開出願番号）：特開2010-016393
出願日： 2009年08月27日
公開日（公表日）： 2010年01月21日
要約：
【課題】接着層が支持部材から剥離し難く、支持部材の表面に形成された凹凸の凹部に対して接着層を良好に充填可能な半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体ウェハWの主面Ws上の接着層4にダイシングシート12を貼り付ける工程と、半導体ウェハ及び接着層をダイシングする工程と、ダイシングシートの粘着層10に放射線を照射した後に接着層付き半導体素子を得る工程と、接着層付き半導体素子を支持部材に接着する工程とを含み、上記接着層は接着剤組成物を含有し、硬化後の該接着剤組成物の260°Cにおける引張弾性率が0.5〜500MPaであり、該接着剤組成物が下記式(1)及び(2)で表される条件を満たす、半導体装置の製造方法。1.0×103≦η1≦1.0×107(1)1.0×103≦η2≦1.0×107(2)【選択図】図2
請求項（抜粋）：
半導体ウェハの主面上に設けられた熱硬化型の接着層に、基材と放射線硬化型の粘着層とが順次積層された構成を有するダイシングシートを、前記粘着層を介して貼り付ける工程と、 前記半導体ウェハ及び前記接着層をダイシングする工程と、 前記ダイシングする工程の後、前記粘着層に放射線を照射することにより前記接着層と前記粘着層との間の接着力を低下させ、前記粘着層及び前記基材を前記接着層から剥離除去し、接着層付き半導体素子を得る工程と、 前記接着層付き半導体素子を、前記接着層を介して半導体素子搭載用の支持部材に接着する工程と、 を含み、 前記接着層は接着剤組成物を含有し、硬化後の該接着剤組成物の260°Cにおける引張弾性率が0.5〜500MPaであり、該接着剤組成物が下記式(1)及び(2)で表される条件を満たす、半導体装置の製造方法。 1.0×103≦η1≦1.0×107 (1) 1.0×103≦η2≦1.0×107 (2) [式中、η1は硬化前の前記接着剤組成物の180°Cにおける溶融粘度(単位:Pa・s)を示し、η2は硬化前の前記接着剤組成物を170°Cで1時間加熱した後の180°Cにおける溶融粘度(単位:Pa・s)を示す。]
IPC (6件)：
H01L 21/52 ,  H01L 21/301 ,  C09J 7/02 ,  C09J 4/00 ,  C09J 163/00 ,  C09J 179/08
FI (7件)：
H01L21/52 E ,  H01L21/78 M ,  H01L21/78 Q ,  C09J7/02 Z ,  C09J4/00 ,  C09J163/00 ,  C09J179/08 Z
Fターム (29件)：
4J004AA10 ,  4J004AA11 ,  4J004AA13 ,  4J004AA15 ,  4J004AB04 ,  4J004AB05 ,  4J004AB06 ,  4J004CA04 ,  4J004CA05 ,  4J004CA06 ,  4J004CB03 ,  4J004CE01 ,  4J004EA06 ,  4J004FA05 ,  4J004FA08 ,  4J040EC001 ,  4J040EH031 ,  4J040FA131 ,  4J040FA141 ,  4J040JA09 ,  4J040JB02 ,  4J040JB07 ,  4J040LA06 ,  4J040MA01 ,  4J040NA20 ,  4J040PA30 ,  4J040PA32 ,  5F047BA21 ,  5F047BB19
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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