特許
J-GLOBAL ID：200903024735499450
半導体装置用ダイボンディング材及びこれを用いた半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
穂高 哲夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-055703
公開番号（公開出願番号）：特開2004-266137
出願日： 2003年03月03日
公開日（公表日）： 2004年09月24日
要約：
【課題】ウェハに貼り付けたあとのウェハ反りが小さく作業性に優れる半導体装置用ダイボンディング材であって、半導体装置の吸湿リフロー時に発生するはく離を抑制し信頼性を向上させることのできる半導体装置用ダイボンディング材を提供する。【解決手段】半導体装置用ダイボンディング材であって、接着剤層と少なくとも1層の保護フィルム層からなり、接着剤層とSUS304の25°Cにおけるタック強度が50gf以下、接着剤層の180°Cにおける溶融粘度が50〜1×107Pa・sの範囲であり、接着剤層の厚みが1〜20μm、かつ保護フィルム層の厚みが1〜30μmの範囲である半導体装置用ダイボンディング材、これをはりつけたダイボンディング材付半導体ウェハ及びこれを用いた半導体装置。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体装置用ダイボンディング材であって、接着剤層と少なくとも1層の保護フィルム層からなり、
接着剤層とSUS304の25°Cにおけるタック強度が50gf以下、
接着剤層の180°Cにおける溶融粘度が50〜1×107Pa・sの範囲であり、
接着剤層の厚みが1〜20μm、かつ保護フィルム層の厚みが1〜30μmの範囲であることを特徴とする半導体装置用ダイボンディング材。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (3件)：
5F047BA23
, 5F047BB03
, 5F047BB19
