特許
J-GLOBAL ID：201003057479054760
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
恩田 博宣
, 恩田 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-282082
公開番号（公開出願番号）：特開2010-109278
出願日： 2008年10月31日
公開日（公表日）： 2010年05月13日
要約：
【課題】半導体素子を含む構造体をその支持体に一体に接合するに際し、熱抵抗の抑制や大型化の抑制はもとより、接合完了後にそれら構造体及び支持体に内在する応力についても、その好適な抑制を図ることのできる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】反応温度と熱伝導率との相反する関係の中でロウ材20の溶融を可能とする反応温度と熱伝導率の確保とを両立し得る特性に設定された反応性膜21をロウ材20によって挟持する態様で冷却器13上にこれらロウ材20及び反応性膜21及びロウ材20及び構造体を順に積層する。そしてこの状態で、反応性膜21にその反応を誘起する反応条件を付与することによりロウ材20を溶融せしめて冷却器13に半導体素子10を含む構造体を接合する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体素子を含む構造体がこれを支持する支持体に一体に接合されて構成される半導体装置の前記半導体素子を含む構造体を熱抵抗の低い接合材を介して前記支持体に接合する半導体装置の製造方法において、
反応温度と熱伝導率との相反する関係の中で前記接合材の溶融を可能とする反応温度と熱伝導率の確保とを両立し得る特性に設定された反応性膜を前記接合材によって挟持する態様で前記支持体上にこれら接合材及び反応性膜及び接合材及び前記構造体を順に積層し、この状態で前記反応性膜にその反応を誘起する反応条件を付与することにより前記接合材を溶融せしめて前記支持体に前記構造体を接合する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 23/36
, H01L 25/07
, H01L 25/18
, B23K 35/28
H01L23/36 D
, H01L25/04 C
, B23K35/28 310B
5F136BC02
, 5F136DA27
, 5F136EA13
, 5F136EA70
, 5F136FA03
, 5F136FA05
出願人引用 (1件)
-
局部接合構造
公報種別：公開公報
出願番号：特願2006-253126
出願人：沛亨半導體股分有限公司
審査官引用 (3件)
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