特許
J-GLOBAL ID：201003058806844424

薄膜トランジスタ

発明者：
宮入 秀和

宮入 秀和 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-068635
公開番号（公開出願番号）：特開2010-251732
出願日： 2010年03月24日
公開日（公表日）： 2010年11月04日
要約：
【課題】電界効果移動度が高く、オン電流が大きい薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極を覆って設けられたゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上に、ゲート電極と重畳して設けられた半導体層と、半導体層上の一部に設けられてソース領域及びドレイン領域を形成する不純物半導体層と、不純物半導体層上に設けられた配線層と、を有し、ソース領域及びドレイン領域の幅は、半導体層の幅よりも小さく、半導体層の幅は、少なくともソース領域とドレイン領域の間において拡大された薄膜トランジスタとする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1の配線層と、 前記第1の配線層を覆って設けられたゲート絶縁層と、 前記ゲート絶縁層上に、前記第1の配線層と重畳して設けられた半導体層と、 前記半導体層上の一部に設けられてソース領域及びドレイン領域を形成する不純物半導体層と、 前記不純物半導体層上に設けられた第2の配線層と、を有し、 前記ソース領域及び前記ドレイン領域の幅は、前記半導体層の幅よりも狭く、 前記半導体層の幅は、少なくとも前記ソース領域と前記ドレイン領域の間において拡大されていることを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (4件)：
H01L 29/786 ,  G02F 1/136 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/14
FI (6件)：
H01L29/78 618C ,  H01L29/78 616T ,  H01L29/78 618E ,  G02F1/1368 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/14 Z
Fターム (103件)：
2H092GA29 ,  2H092GA59 ,  2H092JA25 ,  2H092JA26 ,  2H092JA29 ,  2H092JA36 ,  2H092JA40 ,  2H092JA46 ,  2H092JB24 ,  2H092JB33 ,  2H092KA04 ,  2H092KA05 ,  2H092KA07 ,  2H092KA12 ,  2H092KA18 ,  2H092KB04 ,  2H092MA04 ,  2H092MA05 ,  2H092MA07 ,  2H092MA08 ,  2H092MA10 ,  2H092MA13 ,  2H092MA19 ,  2H092NA21 ,  2H092NA22 ,  3K107AA01 ,  3K107AA05 ,  3K107BB01 ,  3K107BB08 ,  3K107CC14 ,  3K107CC36 ,  3K107CC45 ,  3K107EE03 ,  3K107EE04 ,  3K107FF15 ,  5F110AA07 ,  5F110BB02 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE23 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF10 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG05 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG16 ,  5F110GG19 ,  5F110GG22 ,  5F110GG23 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG32 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG45 ,  5F110HK02 ,  5F110HK09 ,  5F110HK15 ,  5F110HK16 ,  5F110HK21 ,  5F110HK25 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK35 ,  5F110HL01 ,  5F110HL07 ,  5F110HL23 ,  5F110HM03 ,  5F110HM04 ,  5F110HM12 ,  5F110NN03 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110NN44 ,  5F110NN46 ,  5F110NN53 ,  5F110NN54 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ09
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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