特許
J-GLOBAL ID：200903039237934350

III族窒化物半導体素子およびその作製方法

発明者：
谷保 芳孝

谷保 芳孝 について

, 
嘉数 誠

嘉数 誠 について

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牧本 俊樹

牧本 俊樹 について


出願人/特許権者：
日本電信電話株式会社

日本電信電話株式会社 について


代理人 (2件)： 谷 義一 ,  阿部 和夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-247232
公開番号（公開出願番号）：特開2008-071832
出願日： 2006年09月12日
公開日（公表日）： 2008年03月27日
要約：
【課題】導電性SiC基板上にAlNや高Al組成AlGaNを用いた縦型半導体素子構造において、クラックを生じさせず高い縦方向伝導性を得る構造を提供する。【解決手段】MOCVD法により、n型4H-SiC(0001)基板305上に、Siドープn型Al0.8Ga0.15In0.05N(膜厚3nm、Si濃度3×1019cm-3)/Al0.5Ga0.45In0.05N(膜厚3nm、Si濃度3×1019cm-3)超格子304をAl組成の高い層から先に100周期、Siドープn型Al0.4Ga0.55In0.05N(膜厚0.5μm、Si濃度5×1018cm-3)層303をエピタキシャル成長させる。良好なn型伝導性を得るために、III族窒化物半導体層中の残留酸素濃度は5×1016cm-3以下に低減する。続いて、Ti/Al/Ti/Au電極301を形成し、基板裏面全面にNi/Au電極302を形成する。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
n型SiCから成る基板と、 前記基板上に形成されたn型Al1-x1-y1Gax1Iny1N/ Al1-x2-y2Gax2Iny2N超格子から成る第1の窒化物半導体層と、 前記第1の窒化物半導体上に形成されたn型Al1-x-yGaxInyNから成る第2の窒化物半導体層と、 前記基板及び前記第2の窒化物半導体層にそれぞれ形成されたn型電極とを備え、 x≧x1かつy≧y1若しくはx≧x2かつy≧y2であることを特徴とするIII族窒化物半導体素子。
IPC (1件)：
H01L 33/00
FI (1件)：
H01L33/00 C
Fターム (11件)：
5F041AA21 ,  5F041AA31 ,  5F041AA33 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA22 ,  5F041CA34 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66 ,  5F041CA83 ,  5F041CA92
引用特許：
審査官引用 (6件)
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