特許
J-GLOBAL ID：201003061386924460
フォトマスクブランク又はその製造中間体の検査方法、高エネルギー線の照射エネルギー量の決定方法、及びフォトマスクブランクの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
小島 隆司
, 重松 沙織
, 小林 克成
, 石川 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-086185
公開番号（公開出願番号）：特開2010-237502
出願日： 2009年03月31日
公開日（公表日）： 2010年10月21日
要約：
【解決手段】フォトマスク用基板に位相シフト膜を成膜し、更に、該位相シフト膜に高エネルギー線を照射する基板形状調整処理を行って得たフォトマスクブランク又はその製造中間体について、基板形状調整処理後のフォトマスクブランク又はその製造中間体の表面形状を測定し、更に、上記フォトマスクブランク又はその製造中間体から位相シフト膜を除去して、位相シフト膜が除去された処理基板の表面形状を測定し、上記各々の表面形状を比較することによって、上記基板形状調整処理した位相シフト膜の応力による位相シフト膜除去前後のそりの変化を評価するフォトマスクブランク又はその製造中間体の検査方法。【効果】本発明によれば、基板の形状調整処理後の位相シフト膜が与える基板への応力を、より正確に評価することができる。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
フォトマスク用基板に位相シフト膜を成膜し、更に、該位相シフト膜に高エネルギー線を照射する基板形状調整処理を行って得たフォトマスクブランク又はその製造中間体について、
基板形状調整処理後のフォトマスクブランク又はその製造中間体の表面形状を測定し、更に、上記フォトマスクブランク又はその製造中間体から位相シフト膜を除去して、位相シフト膜が除去された処理基板の表面形状を測定し、
上記各々の表面形状を比較することによって、上記基板形状調整処理した位相シフト膜の応力による位相シフト膜除去前後のそりの変化を評価することを特徴とするフォトマスクブランク又はその製造中間体の検査方法。
IPC (3件)：
G03F 1/08
, G03F 1/14
, H01L 21/027
G03F1/08 A
, G03F1/14 A
, H01L21/30 502P
2H095BA01
, 2H095BB03
, 2H095BB27
, 2H095BB32
, 2H095BB37
, 2H095BC04
, 2H095BC26
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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