特許
J-GLOBAL ID：200903029237771730

フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法

発明者：
福島 慎泰

福島 慎泰 について

, 
吉川 博樹

吉川 博樹 について

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金子 英雄

金子 英雄 について


出願人/特許権者：
信越化学工業株式会社

信越化学工業株式会社 について


代理人 (4件)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-147403
公開番号（公開出願番号）：特開2005-331554
出願日： 2004年05月18日
公開日（公表日）： 2005年12月02日
要約：
【課題】 透明基板上に光を吸収する膜を設けてなるフォトマスクブランクの製造方法であって、光を吸収する膜を形成した後に、該光を吸収する膜に閃光ランプ光をエネルギー密度3〜40J/cm2で照射する、閃光ランプ光の照射により光を吸収する膜の膜応力が圧縮応力で-300〜300MPaとなるエネルギー密度で照射する又は閃光ランプ光の照射により光を吸収する膜の膜応力が0MPaとなるエネルギー量を中心値とする±5J/cm2の範囲のエネルギー密度で照射するフォトマスクブランクの製造方法、及びこの方法で製造されたフォトマスクブランクの膜上にフォトリソグラフィー法にてレジストパターンを形成した後、エッチング法にて膜のレジスト非被覆部分を除去し、次いでレジストを除去するフォトマスクの製造方法。【解決手段】 反り量を所定の範囲に自在に制御して最適化したフォトマスクブランク及びフォトマスクが得られる。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
透明基板上に光を吸収する膜を設けてなるフォトマスクブランクの製造方法であって、光を吸収する膜を形成した後に、該光を吸収する膜に閃光ランプ光をエネルギー密度3〜40J/cm2で照射することを特徴とするフォトマスクブランクの製造方法。
IPC (2件)：
G03F1/08 ,  H01L21/027
FI (3件)：
G03F1/08 A ,  G03F1/08 L ,  H01L21/30 502P
Fターム (5件)：
2H095BB03 ,  2H095BB25 ,  2H095BB28 ,  2H095BB37 ,  2H095BC04
引用特許：
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (11件)
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