特許
J-GLOBAL ID：201003062308554726

半導体光変調器制御装置及びその制御方法

発明者：
石川 光映

石川 光映 について

, 
柴田 泰夫

柴田 泰夫 について

, 
菊池 順裕

菊池 順裕 について


出願人/特許権者：
日本電信電話株式会社

日本電信電話株式会社 について


代理人 (2件)： 谷 義一 ,  阿部 和夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-175930
公開番号（公開出願番号）：特開2010-015041
出願日： 2008年07月04日
公開日（公表日）： 2010年01月21日
要約：
【課題】変調振幅電圧を一定とすることで、回路、調整のコストを低減し、波形品質も一定に保つことを可能とする半導体光変調器及びその制御方法を提供すること。【解決手段】制御演算装置21は、温度制御とレーザ電流制御により、半導体波長可変レーザ12が所望の波長の光を出力するよう制御を行う。VDataをスイープさせ、半導体光変調器14を通って出力される光パワーをパワーモニタPD16、もしくは、光パワーメータ24にて測定し、出力光パワーのVData依存性を測定する。c0+c1×VData+c2×VData2に対してカーブフィッティングを行い、得られた1次と2次の係数c1、c2、所望とする変調振幅電圧Vm、及び式6から設定すべきVDataが求められる。これらの値を用いて、式7からVBarを求める。これらの操作を半導体波長可変レーザ12が出力する全波長に対して行い半導体光変調器14に求めたDCバイアス電圧VData、VBarを印加することで、全波長領域で一定Vmでの変調が実現される。【選択図】図10
請求項（抜粋）：
電圧変化による屈折率変化を用い、波長可変光源の出力光の変調を行う半導体光変調器において、 前記半導体光変調器に、DCバイアス電圧と変調振幅電圧Vmを有する高周波信号であって、前記高周波信号の振幅の全幅がVmである高周波信号を印加するステップと、 Vmが一定となるようにDCバイアス電圧を制御するステップと を有することを特徴とする半導体光変調器の制御方法。
IPC (2件)：
G02F 1/017 ,  H01S 5/068
FI (3件)：
G02F1/017 503 ,  H01S5/0683 ,  H01S5/0687
Fターム (21件)：
2H079AA02 ,  2H079AA12 ,  2H079BA01 ,  2H079CA04 ,  2H079DA16 ,  2H079EA05 ,  2H079EA07 ,  2H079EB04 ,  2H079HA11 ,  2H079KA18 ,  2H079KA19 ,  5F173SA26 ,  5F173SC01 ,  5F173SE01 ,  5F173SF03 ,  5F173SF13 ,  5F173SF17 ,  5F173SF33 ,  5F173SF43 ,  5F173SF46 ,  5F173SF62
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 半導体光電子導波路
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-332542   出願人：エヌティティエレクトロニクス株式会社, 日本電信電話株式会社
審査官引用 (4件)
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