特許
J-GLOBAL ID：200903061100691234

窒化物系半導体装置の製造方法

発明者：
朴 煕 錫

朴 煕 錫 について


出願人/特許権者：
三星電機株式会社

三星電機株式会社 について


代理人 (3件)： 三好 秀和 ,  伊藤 正和 ,  原 裕子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-156027
公開番号（公開出願番号）：特開2006-344954
出願日： 2006年06月05日
公開日（公表日）： 2006年12月21日
要約：
【課題】異種基板から良質のGaN系半導体層が得られる窒化物半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】本発明による窒化物系半導体装置の製造方法は、基板上にAlN核生成層を成長させる段階と、上記AlN核生成層上にGaNバッファ層を成長させる段階と、上記基板をアニーリングする段階とを含み、上記AlN核生成層はAlNの結晶核の臨界半径より大きくAlNの臨界弾性厚さより薄い厚さを有するように形成され、上記GaNバッファ層はGaNの結晶核の臨界半径より大きくGaNの臨界弾性厚さより薄い厚さを有するように形成され、上記アニーリング時間はL2/DGa(L;Gaの拡散距離、DGa;上記AlN核生成層におけるGaの拡散係数)より大きい。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
基板上にAlN核生成層を成長させる段階と、 上記AlN核生成層上にGaNバッファ層を成長させる段階と、 上記基板をアニーリングする段階とを含み、 上記AlN核生成層はAlNの結晶核の臨界半径より大きく、AlNの臨界弾性厚さより薄い厚さを有するように形成され、 上記GaNバッファ層はGaNの結晶核の臨界半径より大きく、GaNの臨界弾性厚さより薄い厚さを有するように形成され、 上記アニーリング時間は、L2/DGa(L;Gaの拡散距離、DGa;上記AlN核生成層におけるGaの拡散係数)より大きいことを特徴とする窒化物系半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323
FI (3件)：
H01L21/205 ,  H01L33/00 C ,  H01S5/323 610
Fターム (38件)：
5F041AA40 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA67 ,  5F041CA73 ,  5F045AA03 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AC03 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045AF14 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045GB19 ,  5F045HA16 ,  5F173AG12 ,  5F173AH22 ,  5F173AH44 ,  5F173AH48 ,  5F173AH49 ,  5F173AP05 ,  5F173AP07 ,  5F173AP62 ,  5F173AR82
引用特許：
審査官引用 (7件)
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