特許
J-GLOBAL ID：201003064319404125
半導体装置及びその製造方法、並びに電子装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-096024
公開番号（公開出願番号）：特開2010-251367
出願日： 2009年04月10日
公開日（公表日）： 2010年11月04日
要約：
【課題】本発明は、補強板を備えた半導体装置上に他の半導体装置を積み重ねて、半導体装置と他の半導体装置とを電気的に接続して、実装密度を向上させることのできる半導体装置及びその製造方法、並びに電子装置を提供することを課題とする。【解決手段】電子部品17,18が収容された電子部品収容部34の周囲に位置する部分の補強板本体33を貫通する貫通孔35,36を形成し、貫通孔35,36に電子部品17,18及び多層配線構造体27と電気的に接続される貫通電極21,22を設ける。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
接続面を有する電極パッド、該電極パッドが形成される電極パッド形成面、及び該電極パッド形成面の反対側に位置する背面を有する電子部品と、
前記電子部品と略等しい厚さとされ、多層配線構造体形成面を有する補強板本体と、該補強板本体を貫通すると共に、前記多層配線構造体形成面に対して前記電極パッドの接続面が略面一となるように前記電子部品を収容する電子部品収容部と、該電子部品収容部の周囲に位置する部分の前記補強板本体を貫通する貫通孔とを有する補強板と、
前記貫通孔との間に隙間を介在させた状態で配置され、前記多層配線構造体形成面及び前記接続面に対して略面一とされた第1の接続面と、該第1の接続面の反対側に配置された第2の接続面とを有する貫通電極と、
絶縁性を有し、前記第1及び第2の接続面を露出させた状態で前記貫通孔と前記貫通電極との隙間を充填すると共に、前記多層配線構造体形成面、前記接続面、及び前記第1の接続面に対して略面一とされた第1の面を有する第1の封止樹脂と、
前記電極パッドの接続面を露出した状態で、前記電子部品収容部に収容された前記電子部品の側面を封止すると共に、前記多層配線構造体形成面及び前記接続面に対して略面一とされた第1の面を有する第2の封止樹脂と、
同一平面上に配置された前記多層配線構造体形成面、前記接続面、前記第1の封止樹脂の第1の面、前記第1の接続面、及び第2の封止樹脂の第1の面に設けられ、複数の絶縁層が積層された構成とされた積層体と、前記多層配線構造体形成面と接触する面とは反対側に位置する前記積層体の面に設けられた外部接続用パッドと、前記積層体に内設され、前記電極パッドと直接接続されると共に、前記貫通電極の第1の接続面及び前記外部接続用パッドと電気的に接続された配線パターンとを有する多層配線構造体と、を備えたことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L25/00 A
, H01L25/14 A
