電気機械メモリ、それを用いた電気回路及び電気機械メモリの駆動方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：高松猛 , 市川利光 , 橋本公秀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-154590
公開番号（公開出願番号）：特開2007-036201
出願日： 2006年06月02日
公開日（公表日）： 2007年02月08日
要約：

【課題】従来の半導体プロセスとの親和性が高く、機械的に電気的導通路を完全遮断するスイッチング機能を有し、かつ不揮発性の情報記録を可能とするメモリ素子を実現する。【解決手段】基板上に形成された電気機械メモリであって、メモリセルを電極で挟む形で形成されており、ポスト部を介して中空に架橋された梁である可動電極を具備した電気機械メモリを実現する。この構成により、簡易な構造で不揮発性メモリを実現することが可能となり、従来実現困難であった低消費電力、低コストの高性能電気機械メモリおよびそれを用いた電気機器が実現可能となる。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

基板上に形成された電気機械メモリであって、基板上に、第1の電極と、第2の電極とで、メモリセルを挟むように形成したメモリ部と、前記第1の電極と所定の間隔を隔てて、前記基板上に形成されたポスト部上に張架された梁状体である可動電極を具備し、静電力による前記可動電極の変位により、前記第1の電極と前記可動電極との間に、電気的伝導路を形成し得るように形成されたスイッチング部とを備え、前記メモリセルへのデータの書き込みおよび読み出しを行う電気機械メモリ。

IPC (6件)：

H01L 27/10 , G11C 11/50 , H01L 21/824 , H01L 27/105 , B81B 3/00 , H01H 59/00

FI (7件)：

H01L27/10 451 , G11C11/50 , H01L27/10 421 , H01L27/10 444C , H01L27/10 447 , B81B3/00 , H01H59/00

Fターム (19件)：

4M119BB01 , 4M119CC02 , 4M119DD31 , 4M119DD42 , 4M119DD43 , 4M119EE22 , 4M119EE28 , 4M119FF13 , 4M119GG10 , 5F083FR01 , 5F083FZ10 , 5F083GA06 , 5F083GA09 , 5F083GA10 , 5F083JA14 , 5F083JA15 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA38

引用特許：

出願人引用 (1件)

アクティブマトリックス発光デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-177500 出願人：富士写真フイルム株式会社

審査官引用 (9件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-217458 出願人：株式会社ルネサステクノロジ
電気機械式3トレースジャンクション装置
公報種別：公表公報出願番号：特願2003-558875 出願人：ナンテロ,インク.
入力消去安定化メモリ要素
公報種別：公表公報出願番号：特願平6-525121 出願人：キャベンディッシュキネティクスリミテッド

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