特許

J-GLOBAL ID：201003067278163559

相変化メモリ装置及びその製造方法

発明者： 世古 明義 ,  佐藤 夏樹 ,  浅野 勇
出願人/特許権者： エルピーダメモリ株式会社
代理人 (1件)： 加藤 朝道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-251166
公開番号（公開出願番号）：特開2010-087007
出願日： 2008年09月29日
公開日（公表日）： 2010年04月15日
要約：

【課題】情報書き込み時における相変化領域の放熱性を適切に制御することができる相変化メモリ装置を提供すること。【解決手段】相変化メモリ装置1は、相変化領域15aと、相変化領域15aの下に、相変化領域15aに接して配される第1絶縁層13と、第1絶縁層13の下に第1絶縁層13に接して配されると共に、少なくとも一部が相変化領域15aの真下に配される導体層11と、を備える。導体層11は、相変化領域15aのヒートシンクとして作用する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

相変化領域と、 前記相変化領域の下に配される第1絶縁層と、 前記第1絶縁層の下に配される導体層と、を備え、 前記相変化領域及び前記導体層は、前記相変化領域の熱が前記第1絶縁層を介して前記導体層に伝導するように配されていることを特徴とする相変化メモリ装置。

IPC (3件)：

H01L 27/105 ,  G11C 13/00 ,  H01L 45/00

FI (3件)：

H01L27/10 448 ,  G11C13/00 A ,  H01L45/00 A

Fターム (13件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA11 ,  5F083JA36 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA56 ,  5F083JA60 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA19 ,  5F083PR09 ,  5F083PR10 ,  5F083PR40

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 相変化メモリ装置および相変化メモリ装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-341291   出願人：エルピーダメモリ株式会社

審査官引用 (3件)

• 相変化メモリ、相変化メモリアセンブリ、相変化メモリセル、2D相変化メモリセルアレイ、3D相変化メモリセルアレイおよび電子部品
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2006-536029   出願人：ライニッシュ-ヴェストフェリッシェ・テクニッシェ・ホッホシューレ・アーヘン, コミサリア・ア・レネルジ・アトミク
• 相変化メモリ素子、相変化メモリIC、相変化メモリ素子の製造方法および相変化メモリICの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-264484   出願人：エルピーダメモリ株式会社
• バックエンドプロセスを使用する相変化抵抗体の製造
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2007-551798   出願人：エヌエックスピービーヴィ