特許
J-GLOBAL ID：200903068002504528

相変化メモリ、相変化メモリアセンブリ、相変化メモリセル、2D相変化メモリセルアレイ、3D相変化メモリセルアレイおよび電子部品

発明者：
ハーリンク-ボリヴァ・ピーター

ハーリンク-ボリヴァ・ピーター について

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ベケベット・ベルナード

ベケベット・ベルナード について

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ソウサ・ベロニック

ソウサ・ベロニック について

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キム・ダエ-フアン

キム・ダエ-フアン について

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クルツ・ハインリッヒ

クルツ・ハインリッヒ について

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メルゲット・フローリアン

メルゲット・フローリアン について


出願人/特許権者：
ライニッシュ-ヴェストフェリッシェ・テクニッシェ・ホッホシューレ・アーヘン

ライニッシュ-ヴェストフェリッシェ・テクニッシェ・ホッホシューレ・アーヘン について

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コミサリア・ア・レネルジ・アトミク

コミサリア・ア・レネルジ・アトミク について


代理人 (3件)： 杉本 修司 ,  野田 雅士 ,  堤 健郎
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-536029
公開番号（公開出願番号）：特表2007-513494
出願日： 2004年10月19日
公開日（公表日）： 2007年05月24日
要約：
本発明の相変化メモリは、相変化材料から成るメモリ材料層と相互に距離を置いて配置された第1および第2電気接点とを有し、この接点を通って電流信号がメモリ材料層のスイッチングゾーンを横断する。前記電流信号を利用して結晶相とアモルファス相の間の相変化、したがってスイッチングゾーンの相変化材料の抵抗変化を誘発する。本発明の相変化メモリの新しい概念はスイッチングゾーンが第1および第2電気接点の間の相変化メモリの水平方向に沿って配置され、電流信号が前記水平方向に沿ってスイッチングゾーンを通って伝導される。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
相変化材料から成るメモリ材料層(23、49、93、109、179)と、相互に距離を置いて配置された第1電気接点(25、47、73、97、115)および第2電気接点(27、51、75、97、115)であって、これら電気接点を介してメモリ材料層(23、49、93、109、179)のスイッチングゾーン(31、61、119、177)が電流信号により横断される第1電気接点(25、47、73、97、115)および第2電気接点(27、51、75、97、115)とを備え、 前記電流信号は、結晶相(3)とアモルファス相(5)との間の可逆相変化(11、13)、およびスイッチングゾーン(31、61、119、177)における相変化材料の抵抗(7)の変化を誘発するのに用いられる相変化メモリ(21、41、71、81、101、161、162、215)において、 前記スイッチングゾーン(31、61、119、177)が前記第1電気接点(25、47、73、97、115)と第2電気接点(27、51、75、97、115)との間の相変化メモリの水平方向(33、45、83)に沿って配置され、 前記スイッチングゾーン(31、61、119、177)を通る前記電流信号の電流伝導(35、63、77)が水平方向(33、45、83)に沿って発生し、 前記スイッチングゾーン(31、61、119、177)が、メモリ材料層(23、49、93、109、179)内の前記第1電気接点(25、47、73、97、115)と第2電気接点(27、51、75、97、115)との間の狭部(65)に配置され、 前記狭部(65)のサイズ(67、D)が、前記第1電気接点(25、47、73、97、115)または第2電気接点(27、51、75、97、115)の位置におけるメモリ材料層(23、49、93、109、179)のサイズ(69、121)よりも小さいことを特徴とする、相変化メモリ(21、41、71、81、101、161、162、215)。
IPC (3件)：
H01L 27/105 ,  G11C 13/00 ,  H01L 45/00
FI (3件)：
H01L27/10 448 ,  G11C13/00 A ,  H01L45/00 A
Fターム (4件)：
5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083JA56 ,  5F083JA60
引用特許：
審査官引用 (7件)
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