特許
J-GLOBAL ID：201003067563078450

基板処理装置および基板処理方法

発明者：
廣瀬 治道

廣瀬 治道 について

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安部 正泰

安部 正泰 について

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西部 幸伸

西部 幸伸 について

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菊池 勉

菊池 勉 について

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安藤 佳大

安藤 佳大 について


出願人/特許権者：
芝浦メカトロニクス株式会社

芝浦メカトロニクス株式会社 について


代理人 (5件)： 三好 秀和 ,  岩▲崎▼ 幸邦 ,  伊藤 正和 ,  高橋 俊一 ,  高松 俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-006461
公開番号（公開出願番号）：特開2010-165825
出願日： 2009年01月15日
公開日（公表日）： 2010年07月29日
要約：
【課題】ガスが飽和した状態の液体を基板の処理時に瞬時に加熱して微小気泡の脱離と破壊を行うことで、簡単な構成でありながら微小気泡を有効に利用して基板の処理を確実に行うことができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。【解決手段】基板Wに対して微小気泡を含む液体Lを供給して基板Wを処理する基板処理装置1は、気体と液体から前記微小気泡を含む液体を生成する微小気泡生成部10と、微小気泡を含む液体Lを基板に吐出すノズル15と、ノズル15から吐出された微小気泡を含む液体Lを加温する加熱手段50と、を備える。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
基板に対して微小気泡を含む液体を供給して基板を処理する基板処理装置であって、 気体と液体から前記微小気泡を含む液体を生成する微小気泡生成部と、 前記微小気泡を含む液体を前記基板に吐出すノズルと、 前記ノズルから吐出された前記微小気泡を含む液体の温度を上げる加熱手段と、 を備えることを特徴とする基板処理装置。
IPC (2件)：
H01L 21/304 ,  H01L 21/027
FI (3件)：
H01L21/304 647Z ,  H01L21/30 572B ,  H01L21/304 643A
Fターム (19件)：
5F046MA02 ,  5F157AA73 ,  5F157AB02 ,  5F157AB33 ,  5F157AB51 ,  5F157AB90 ,  5F157AC01 ,  5F157AC13 ,  5F157BB11 ,  5F157BB37 ,  5F157BB66 ,  5F157BB79 ,  5F157BH18 ,  5F157CE03 ,  5F157CE25 ,  5F157CE36 ,  5F157CF34 ,  5F157DB02 ,  5F157DC31
引用特許：
審査官引用 (4件)
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