特許
J-GLOBAL ID：201003070187364935

パターン形成方法、該パターン形成方法に用いられる多重現像用ポジ型レジスト組成物、該パターン形成方法に用いられるネガ現像用現像液及び該パターン形成方法に用いられるネガ現像用リンス液

発明者：
椿 英明

椿 英明 について

, 
漢那 慎一

漢那 慎一 について


出願人/特許権者：
富士フイルム株式会社

富士フイルム株式会社 について


代理人 (2件)： 高松 猛 ,  矢澤 清純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-123584
公開番号（公開出願番号）：特開2010-237695
出願日： 2010年05月28日
公開日（公表日）： 2010年10月21日
要約：
【課題】IC等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さらにその他のフォトファブリケーション工程などに使用される、高精度な微細パターンを安定的に形成する方法、該方法に用いられる樹脂組成物、該方法に用いられる現像液及び該方法に用いられるネガ現像用リンス液を提供する。【解決手段】(ア)基板上に、活性光線又は放射線の照射により、ポジ型現像液に対する溶解度が増大し、ネガ型現像液に対する溶解度が減少する、ポジ型レジスト組成物を塗布する工程、(イ)露光工程、及び(エ)ネガ型現像液を用いて現像する工程を含むパターン形成方法、該方法に用いられる多重現像用ポジ型レジスト組成物、該方法に用いられる現像液及び該方法に用いられるネガ現像用リンス液。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
(ア)基板上に、活性光線又は放射線の照射により、ポジ型現像液に対する溶解度が増大し、ネガ型現像液に対する溶解度が減少する、ポジ型レジスト組成物を塗布する工程、 (イ)露光工程、及び (エ)ネガ型現像液を用いて現像する工程 を含むことを特徴とするパターン形成方法。
IPC (5件)：
G03F 7/40 ,  G03F 7/32 ,  G03F 7/039 ,  G03F 7/38 ,  H01L 21/027
FI (8件)：
G03F7/40 511 ,  G03F7/32 ,  G03F7/32 501 ,  G03F7/039 601 ,  G03F7/38 511 ,  H01L21/30 502C ,  H01L21/30 570 ,  H01L21/30 502R
Fターム (63件)：
2H096AA25 ,  2H096BA11 ,  2H096DA01 ,  2H096EA03 ,  2H096EA05 ,  2H096EA12 ,  2H096FA01 ,  2H096GA03 ,  2H096GA04 ,  2H096GA08 ,  2H096GA18 ,  2H096JA08 ,  2H125AF17P ,  2H125AF18P ,  2H125AF21P ,  2H125AF27P ,  2H125AF36P ,  2H125AF38P ,  2H125AF39P ,  2H125AF45P ,  2H125AF70P ,  2H125AH04 ,  2H125AH14 ,  2H125AH16 ,  2H125AH17 ,  2H125AH19 ,  2H125AH22 ,  2H125AH25 ,  2H125AJ04X ,  2H125AJ14X ,  2H125AJ14Y ,  2H125AJ47Y ,  2H125AJ48X ,  2H125AJ63X ,  2H125AJ64X ,  2H125AJ65X ,  2H125AJ66X ,  2H125AJ67X ,  2H125AN08P ,  2H125AN38P ,  2H125AN39P ,  2H125AN42P ,  2H125AN54P ,  2H125AN57P ,  2H125AN65P ,  2H125BA01P ,  2H125BA26P ,  2H125BA32P ,  2H125BA33P ,  2H125CA12 ,  2H125CB08 ,  2H125CB09 ,  2H125CB12 ,  2H125CC01 ,  2H125CC03 ,  2H125CC15 ,  2H125CC23 ,  2H125FA01 ,  2H125FA05 ,  2H125FA18 ,  2H125FA23 ,  5F046AA13 ,  5F046LA18
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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