表示装置

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-220024
公開番号（公開出願番号）：特開2010-109341
出願日： 2009年09月25日
公開日（公表日）： 2010年05月13日
要約：

【課題】狭額縁化が可能であり、表示特性に優れた表示装置を提供する。【解決手段】スイッチ部またはバッファ部と、論理回路部と、画素部と、を有する表示装置において、画素部は、第1の逆スタガ型薄膜トランジスタと、第1の逆スタガ型薄膜トランジスタの配線に接続する画素電極と、を有し、スイッチ部またはバッファ部は、第1の絶縁層、半導体層、及び第2の絶縁層を挟む第1のゲート電極及び第2のゲート電極を有する第2の逆スタガ型薄膜トランジスタを有し、論理回路部は、第3の逆スタガ型薄膜トランジスタ及び第4の逆スタガ型薄膜トランジスタにより構成されるインバータ回路を有し、第1の逆スタガ型薄膜トランジスタ乃至第4の逆スタガ型薄膜トランジスタは、同じ極性とする。インバータ回路はEDMOS回路である。【選択図】図7

請求項（抜粋）：

スイッチ部またはバッファ部と、論理回路部と、画素部と、を有し、前記画素部は、第1の逆スタガ型薄膜トランジスタと、前記第1の逆スタガ型薄膜トランジスタの配線に接続する画素電極と、を有し、前記スイッチ部またはバッファ部は、第2の逆スタガ型薄膜トランジスタを有し、前記論理回路部は、第3の逆スタガ型薄膜トランジスタ及び第4の逆スタガ型薄膜トランジスタにより構成されるインバータ回路を有し、前記第1の逆スタガ型薄膜トランジスタ乃至第4の逆スタガ型薄膜トランジスタは、同じ極性であり、前記第1の逆スタガ型薄膜トランジスタ乃至第4の逆スタガ型薄膜トランジスタは、ゲート電極と、前記ゲート電極上に形成される第1のゲート絶縁層と、前記第1のゲート絶縁層上に形成される第1の微結晶半導体層と、前記第1の微結晶半導体層上に形成される錐形状の突起を複数有する第2の微結晶半導体層と、前記第2の微結晶半導体層上に形成される一対の非晶質半導体層と、前記一対の非晶質半導体層上に形成される一対の不純物半導体層とを有し、前記第2の逆スタガ型薄膜トランジスタは、前記第2の微結晶半導体層及び前記一対の非晶質半導体層上に形成される第2のゲート絶縁層と、前記ゲート電極に重畳し、且つ前記第2のゲート絶縁層に接するバックゲート電極と、を有することを特徴とする表示装置。

IPC (7件)：

H01L 29/786 , H01L 27/08 , H01L 21/823 , H01L 27/06 , H01L 27/088 , G02F 1/136 , H01L 51/50

FI (8件)：

H01L29/78 612B , H01L29/78 617L , H01L29/78 618C , H01L27/08 331E , H01L27/06 102A , H01L27/08 311A , G02F1/1368 , H05B33/14 A

Fターム (111件)：

2H092GA59 , 2H092JA26 , 2H092JA28 , 2H092KA04 , 2H092KA05 , 2H092NA01 , 2H092NA22 , 3K107AA01 , 3K107BB01 , 3K107CC21 , 3K107CC31 , 3K107CC43 , 3K107CC45 , 3K107EE04 , 3K107HH05 , 5F048AB04 , 5F048AB07 , 5F048AB10 , 5F048AC02 , 5F048AC10 , 5F048BA16 , 5F048BB01 , 5F048BB06 , 5F048BB09 , 5F048BB11 , 5F048BB12 , 5F048BB14 , 5F048BC16 , 5F048BD04 , 5F048BF02 , 5F048BF04 , 5F048BF07 , 5F110AA01 , 5F110AA04 , 5F110AA06 , 5F110AA07 , 5F110BB02 , 5F110BB03 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110EE23 , 5F110EE30 , 5F110EE38 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG03 , 5F110GG14 , 5F110GG16 , 5F110GG19 , 5F110GG22 , 5F110GG25 , 5F110GG32 , 5F110GG33 , 5F110GG34 , 5F110GG36 , 5F110GG45 , 5F110GG51 , 5F110GG57 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK09 , 5F110HK15 , 5F110HK16 , 5F110HK22 , 5F110HK25 , 5F110HK26 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK34 , 5F110HK35 , 5F110HL01 , 5F110HL07 , 5F110HL09 , 5F110HL22 , 5F110HL23 , 5F110NN03 , 5F110NN05 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN37 , 5F110NN71 , 5F110NN72 , 5F110NN73 , 5F110NN78 , 5F110QQ02

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-184310 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体デバイスと、その製造装置、および製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-141353 出願人：積水化学工業株式会社
発光装置及び半導体装置の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-263583 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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