特許

J-GLOBAL ID：200903085378172480

薄膜トランジスタの製造方法

発明者： 佐野 政史 ,  雲見 日出也 ,  林 享 ,  安部 勝美
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (3件)： 山下 穣平 ,  志村 博 ,  永井 道雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-258264
公開番号（公開出願番号）：特開2007-073697
出願日： 2005年09月06日
公開日（公表日）： 2007年03月22日
要約：

【課題】 電子キャリア濃度が1018/cm3未満の酸化物を安定して製造できる製造方法を提供することにある。【解決手段】 In、Zn及びOを含み、電子キャリア濃度が1018/cm3未満である透明アモルファス酸化物膜からなる活性層と、ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とを含む薄膜トランジスタの製造方法において、活性層をスパッタ法により形成する工程を含み、スパッタ法により活性層を形成する際の雰囲気ガス中に水を含む。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

In、Zn及びOを含み、透明アモルファス酸化物膜からなる活性層と、ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とを含む薄膜トランジスタの製造方法において、 前記透明アモルファス酸化膜をスパッタ法により形成する工程を含み、当該スパッタ法により前記透明アモルファス酸化膜を形成する際の雰囲気ガス中に水を含むことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/786

FI (2件)：

H01L29/78 618A ,  H01L29/78 618B

Fターム (20件)：

5F110AA01 ,  5F110AA05 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE02 ,  5F110FF01 ,  5F110FF28 ,  5F110GG01 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG34 ,  5F110GG43 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110QQ14

引用特許：

出願人引用 (6件)

• 導電性透明基材およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-132030   出願人：出光興産株式会社
• 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-208948   出願人：ホーヤ株式会社
• 半導体デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-264885   出願人：科学技術振興事業団
• 導電性酸化物およびそれを用いた電極
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-065840   出願人：ホーヤ株式会社
• 特開昭61-64874号公報
  
• スパッタリングによる成膜方法、及び該成膜方法を用いる光起電力素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-164654   出願人：キヤノン株式会社

審査官引用 (1件)

• 光学素子機能を有する透明導電膜およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-375134   出願人：日東電工株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Transparent thin-film transistors with zinc indiu oxide channel layer