半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (7件)：深見久郎 , 森田俊雄 , 仲村義平 , 堀井豊 , 酒井將行 , 荒川伸夫 , 佐々木眞人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-135077
公開番号（公開出願番号）：特開2010-283132
出願日： 2009年06月04日
公開日（公表日）： 2010年12月16日
要約：

【課題】順電圧降下を低減し、かつ最大逆電圧を向上させ、かつリカバリー時の発振を抑制することができる半導体装置を提供する。【解決手段】第1の層3は、第1の電極5の上に設けられ、かつ第1導電型を有する。第2の層1は、第1の層3の上に設けられ、かつ第1導電型と異なる第2導電型を有する。第3の層CLaは、第2の層1の上に設けられている。第2の電極4は、第3の層CLaの上に設けられている。第4の層15は、第2の層1および第3の層CLaの間に設けられ、かつ第2導電型を有する。第3の層CLaは第1の部分2および第2の部分16を有する。第1の部分2は、第2導電型を有し、かつ第2の層1の不純物濃度のピーク値に比して高い不純物濃度のピーク値を有する。第2の部分16は、第1導電型を有する。第1の部分2および第2の部分16の総面積に対して第2の部分16の面積が占める割合は20%以上95%以下である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1の電極と、前記第1の電極の上に設けられ、かつ第1導電型を有する第1の層と、前記第1の層の上に設けられ、かつ前記第1導電型と異なる第2導電型を有する第2の層と、前記第2の層の上に設けられた第3の層と、前記第3の層の上に設けられた第2の電極と、前記第2の層および前記第3の層の間に設けられ、かつ前記第2導電型を有する第4の層とを備え、前記第3の層は、前記第2導電型を有し、かつ前記第2の層の不純物濃度のピーク値に比して高い不純物濃度のピーク値を有する第1の部分と、前記第1導電型を有する第2の部分とを含み、前記第1および第2の部分の総面積に対して前記第2の部分の面積が占める割合は20%以上95%以下である、半導体装置。

IPC (1件)：

H01L 29/861

FI (1件)：

H01L29/91 C

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平2-066977
ダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-002337 出願人：三菱電機株式会社
ダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-247515 出願人：株式会社日立製作所

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