特許

J-GLOBAL ID：201003074500711353

窒化ホウ素膜及びその成膜方法

発明者： 鈴木 常生 ,  中山 忠親 ,  末松 久幸 ,  新原 晧一 ,  大堀 鉄太郎 ,  白幡 淳 ,  佐藤 彰
出願人/特許権者： 国立大学法人長岡技術科学大学 ,  ユニオンツール株式会社
代理人 (2件)： 吉井 剛 ,  吉井 雅栄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-006764
公開番号（公開出願番号）：特開2010-185138
出願日： 2010年01月15日
公開日（公表日）： 2010年08月26日
要約：

【課題】スパッタリング法やアークイオンプレーティング法等のPVD法を用いた場合でも密着性が良好でc-BNを高い割合で有する極めて実用性に秀れた窒化ホウ素膜の提供。【解決手段】基材に、不活性ガスを含む雰囲気中でホウ素を含むターゲット材料を用いた物理蒸着法でc-BNの含有率が50%以上である窒化ホウ素膜を成膜する際、少なくともArとHeの2種が混合された混合ガス雰囲気中で成膜を行う。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

c-BNの含有率が50%以上である窒化ホウ素膜であって、膜中に0.5〜20.0mol%のHeを含有することを特徴とする窒化ホウ素膜。

IPC (2件)：

C23C 14/06 ,  C23C 14/34

FI (2件)：

C23C14/06 J ,  C23C14/34 R

Fターム (6件)：

4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BA59 ,  4K029CA05 ,  4K029DA08 ,  4K029DC05

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特表平6-509609
  
• 磁気記録媒体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-316519   出願人：ソニー株式会社