窒化ホウ素膜及びその成膜方法

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (2件)：吉井剛 , 吉井雅栄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-006764
公開番号（公開出願番号）：特開2010-185138
出願日： 2010年01月15日
公開日（公表日）： 2010年08月26日
要約：

【課題】スパッタリング法やアークイオンプレーティング法等のPVD法を用いた場合でも密着性が良好でc-BNを高い割合で有する極めて実用性に秀れた窒化ホウ素膜の提供。【解決手段】基材に、不活性ガスを含む雰囲気中でホウ素を含むターゲット材料を用いた物理蒸着法でc-BNの含有率が50%以上である窒化ホウ素膜を成膜する際、少なくともArとHeの2種が混合された混合ガス雰囲気中で成膜を行う。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

c-BNの含有率が50%以上である窒化ホウ素膜であって、膜中に0.5〜20.0mol%のHeを含有することを特徴とする窒化ホウ素膜。

IPC (2件)：

C23C 14/06 , C23C 14/34

FI (2件)：

C23C14/06 J , C23C14/34 R

Fターム (6件)：

4K029AA06 , 4K029AA24 , 4K029BA59 , 4K029CA05 , 4K029DA08 , 4K029DC05

引用特許：

出願人引用 (2件)

磁気記録媒体の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-316519 出願人：ソニー株式会社
特表平6-509609

審査官引用 (3件)

特表平6-509609
磁気記録媒体の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-316519 出願人：ソニー株式会社
特表平6-509609

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